新聞 : 供不應求狀態延續，2 月 specialty DRAM 主流容量月均價漲近 7%

根據 TrendForce 調查顯示，由於目前三大原廠產能吃緊，DRAM 市場仍處供不應求情況，整體市況已正式進入上漲週期，原廠看準機會大幅調升 specialty DRAM 月報價，帶動部分顆粒單月價格漲幅逼近雙位數；其中以越小容量、越利基的產品漲幅最大。以 2 月合約價來看，DDR2 及 DDR3 的漲幅仍高；DDR4 則受到 DDR3 的追價而持續上揚，目前在 specialty DRAM 中仍屬最大宗應用的 DDR3 4Gb，其顆粒均價單月漲幅約 6.8%。

TrendForce 進一步表示，長期由台廠主導的 DDR3 2Gb 嚴重缺貨的情況持續，有價無量已成該產品常態，而追價者成為造成市場高低價價差擴大的主因，本月均價漲幅近 9%。DDR4 4Gb 受到 DDR3 4Gb 的上揚所迫，三星（Samsung）本月價格明顯拉升，促使低價及均價成長約 6%；DDR4 8Gb 則隨著主流 server 與 PC 走勢而上，漲幅約 4%。必須說明的是，此為因應月合約所做的價格調整，以反應當下市場狀況，但若細究部分 tier-one 客戶採取季度合約議價（quarterly lock-in deal）者，其整季價格則不受此月價格影響。

三大原廠 DDR3 產出仍緩步下滑
台廠彈性調配產能求獲利最大化
在目前 specialty DRAM 市況火熱的情況下，DDR3 的獲利水平逐漸高過 DDR4 及邏輯 IC 產品，也帶動供應商的策略開始有所調整。韓廠方面，三星（Samsung）規劃將 Line 13 持續轉換至 CMOS Image Sensor 的長期策略不變，然受到近期價格強勁上漲影響，其稍有縮減原先規劃的產能進度。SK 海力士（SK Hynix）亦採相同策略，舊廠 M10 於去年底調降產能後，2021 年基本上都維持在相似水位。隨著最先進的 1Z 及 1 alpha 奈米良率有所拉升，美光（Micron）將逐步增加先進製程投片比重，因此部分 20 奈米及更成熟的製程礙於台灣廠區空間有限，未來會慢慢挪往位於美國的 Fab 6。整體而言，三大原廠的 DDR3 產出仍持續下滑，然下滑速度較原先預期趨緩。

台廠方面，南亞科（Nanya Tech）目前已將部分 20 及 30 奈米的 DDR4 投片轉換回 DDR3；華邦（Winbond）近年重心皆在 Flash 業務，DRAM 產能在高雄路竹廠完工前都將受到限制，因此該公司選擇重點支持 DDR2 及 DDR3 1/2Gb 小容量產品，也因華邦在該領域擁有相對更高的市占率，掌握更多定價優勢。力積電（PSMC）先前主要鎖定在邏輯 IC 代工，但隨著 DDR3 代工價顯著上揚，將轉移部份產能至 DRAM。整體而言，未來三大台廠都將依據毛利高低於各產品間彈性調配產能。然而，TrendForce 認為，即便所有供應商加以因應，此波 specialty DRAM 供不應求的態勢至少延續至今年上半年，後續價格漲幅將視各原廠產能調整狀況而定。

由 科技新報 轉載