新聞 : 經濟前景未明，2016 年全球 NAND Flash 產值成長有限
全球經濟依舊前景不明，各項 NAND Flash 終端需求廠商態度相對保守，
TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 調查顯示，
終端裝置平均搭載量與固態硬碟（SSD）需求成長，
2016 年整體 NAND Flash 需求位元量將較 2015 年成長 44%，
然而生產端為了快速降低成本以刺激更多的需求，
NAND Flash 業者將會加速 3D-NAND Flash 的開發，
整體 NAND Flash 年度位元產出成長率將大幅成長 50%。
DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，
2016 年 NAND Flash 產出將大於需求力道，價格下滑幅度也將大於過去兩年。
DRAMeXchange 預估 2016 年整體 NAND Flash 產值僅年成長 0.2%，達 266 億美元，
多數 NAND Flash 供應商將面臨營運利潤壓縮的挑戰。
2016 年 NAND Flash 產業趨勢分析如下：
3D-NAND Flash 開發進度為聚焦重點
2016 年是製程轉進以及產品結構轉換的關鍵時期。
特別是 15 / 16 奈米在 2015 年第三季成為主流製程後，後續製程微縮的空間將面臨瓶頸，
再加上三星早已量產 3D-NAND Flash 並成功打開在 SSD 的市佔率，
刺激其他 NAND Flash 業者也陸續從今年第四季開始加速 3D-NAND Flash 的開發。
DRAMeXchange 預估 2016 年總晶圓投片量（12 吋約當）達到 1,670 萬片，年成長 12%，
而因 3D-NAND Flash 的開發加速進行，預估 2016 年位元供給量率將較今年大幅成長 50%，為近 4 年來新高。
三星的 3D-NAND Flash 去年開始正式量產，
今年憑著積極的價格策略及優異的性能迅速拉開與各家業者的競爭步伐，
迫使其他業者加速 3D-NAND Flash 的開發，
預期其他業者 3D-NAND Flash 的固態硬碟也將在 2016 年第三季可供系統 OEM 業者進行認證流程。
楊文得表示，雖然整體 3D-NAND Flash 的產出比重在今年第四季僅有 11%，但 2016 年可望大幅成長至 30%，
此舉也將有助於降低固態硬碟的成本來提高系統 OEM 業者的固態硬碟滲透率。
中國業者布局日趨完整，扮演 NAND Flash 產業變化的關鍵角色
楊文得表示，今年中國半導體業者投資 NAND Flash 儲存相關公司的腳步加快，
以及在 NAND Flash 上中下游產業鏈的布局日趨完整，
未來 3-5 年中國業者以及中國市場將對 NAND Flash 產業的變化扮演關鍵地位。
在中國政府強力主導下，目前中國以強大的半導體市場吸引力來加大 NAND 大廠投資建廠規模的成效已開始發酵，
如三星西安廠持續擴廠，英特爾也確定將原先邏輯製程的大連晶圓廠廠轉為生產 NAND Flash 的半導體廠。
DRAMeXchange 預估在 2016 年底前，NAND Flash 國際大廠在中國生產的晶圓量佔比可來到 8%，
未來增長的幅度將快速提升。
終端裝置 NAND Flash 產品平均搭載量攀升，固態硬碟為需求動能亮點
楊文得表示，全球總體經濟不確定的因素升高影響 2016 年各項 NAND Flash 終端需求，
在裝置端出貨量成長有限的情況下，明年 NAND Flash 需求面將著重在平均搭載量的成長，
又因 NAND Flash 價格滑落的速度加快，DRAMeXchange 預估
2016 年智慧型手機的 eMMC 與用戶級固態硬碟（Client-SSD）平均容量將較今年成長 30% 以上。
用戶級固態硬碟部份，3D-NAND Flash 的開發與 TLC 的普及率提升都加速了固態硬碟價格滑落的速度，
也增強個人電腦（PC）業者的採購與設計意願，
DRAMeXchange 統計 2015 年的筆記型電腦 SSD 搭載率約為 27%，
預期 2016 年年底 128GB 的固態硬碟將低於 500GB 的傳統硬碟、
256GB 的固態硬碟價格也將逼近 1TB 的傳統硬碟，
DRAMeXchange 預估 2016 年筆記型電腦固態硬碟搭載率將突破 30% 門檻。
此外，強調及時運算以及效能的資料中心需求量大增，
各項雲端運算與服務也隨著 App 在智慧型手機的應用快速成長，
整體企業級固態硬碟（Enterprise-SSD）的需求維持強勁的成長態勢。
DRAMeXchange 預估 2016 年整體固態硬碟位元消耗量份額將到 35%，較今年的 30% 提升不少，
成為各 NAND Flash 終端需求項目中表現最為強勁的種類。
由 TehcNews科技新報 轉載