新聞 : 三星加速搶攻企業用DRAM市場

三星電子計劃強攻略伺服器、資訊中心等企業用DRAM。
近來DRAM價格跌幅趨緩，未來獲利性存在疑慮，三星將以技術能力克服難關。

據南韓Dailian報導，
三星自10月開始領先全球採用3D直通矽穿孔(TSV)堆疊技術生產實現
最大容量、超省電特性的128GB RDIMM伺服器用DRAM模組。

繼2014年8月生產20奈米64GB 3D TSV DDR4模組後，
2015年10月再生產20奈米 128GB 3D TSV DDR4模組。
DRAM容量擴大2倍，可望對DRAM新市場帶來貢獻。

三星 2010年開始研發40奈米8GB 3D TSV DDR3模組，
2011年8月完成研發30奈米級32GB 3S TSV DDR3後，
持續採用微細製程克服容量的限制。

三星表示，開始量產128GB TSV DRAN模組產品穩定性獲驗證，
不僅擴大容量，且具備超高速、超省電、高信賴性等特性，
可望帶動企業伺服器和資訊中心用需求大幅增加。

三星內部人員表示，伺服器和資訊中心等高性能、大容量高階產品需求漸增。
企業用產品以高階級為多數，對營收貢獻度大，位來佔整體生產比重也將會增加。

此外，三星2015年內將生產採TSV技術的128GB DDR4 LRDIMM產品，
提供TSV全產品陣容，並配合超高容量DRAM需求增加趨勢，
迅速提升20奈米8GB DRAM生產比重，以提高製造競爭力。

三星計畫以運用TSV技術的次世代超高速電腦運算用高頻寬記憶體(HBM)產品，
擴大高階記憶體市場。10月研發的20奈米4GB HBM產品將於2015年內量產，
透過技術差別化加強競爭力。

報導引用市調機構IHS資料指出，三星第2季在全球DRAM的市占率為45.2%，
刷新單季最高紀錄。2014年第2季後，DRAM市場上維持40%以上市占率，
2015年可望創造最高市占率，近10年來年度市佔率最高值為42.2%。

由 DIGITIMES電子時報 轉載