新聞 : SK 海力士年底前量產 1Z 奈米製程 DRAM，2020 年正式供應市場
就在當前記憶體市場開始逐漸復甦的當下，南韓記憶體大廠 SK 海力士於 21 日宣佈，開始開發適用 1Z 奈米製程的 10 奈米等 級16Gb DDR4 DRAM 記憶體。根據 SK 海力士的指出，相較於上一代 1Y 奈米製程的 10 奈米等級 DRAM，該產品的生產效率提高了 27%，並且可以在不用高價的 EUV 及紫外光刻技術的情況下進行生產，將具有其成本競爭力。
SK 海力士進一步指出，該款 1Z 奈米製程的 10 奈米等級 16Gb DDR4 DRAM 記憶體還可以穩定支援最高 3200Mbps 的資料傳輸速率，這會是 DDR4 規格內的最高速率。相關的使用功耗也顯著降低，與 1Y 奈米製程的 10 奈米等級 8Gb DRAM 相同容量模組比較，其功耗約降低了 40%。
另外特別的是，該款 1Z 奈米製程的 10 奈米等級 16Gb DDR4 DRAM 記憶體適用前一代的生產技術，但是卻能使用從來沒使用過的新材料，如此以將 DRAM 運作時的關鍵要素靜電容量 （Capacitance） 最大化。此外，還引進了新的設計技術，進一步提生了運作時的穩定性。
SK 還強調，1Z 奈米製程的 10 奈米等級的 DDR4 DRAM 擁有業界最高水準的容量和速度，再加上優異的功耗狀況，將是最適合應用於高性能或高容量 DRAM 的客戶需來使用。根據規劃，SK 海力士將在 2019 年底前完成大量生產，並且從 2020 年開始正式對市場供應， 積極應對市場需求。
而除了 1Z 奈米製程的 10 奈米等級的 DDR4 DRAM 之外，SK 海力士目前還計畫針對下一代行動 DRAM LPDDR5 和 最高階 DRAM HBM3 等多項產品開始擴大使用 1Z 奈米製程的的10奈米等級技術。
由 科技新報 轉載