新聞 : ﹝2019年產業展望系列﹞NAND Flash價格溜滑梯 2019年掀產業洗牌效應

從2017年供不應求的榮景，NAND Flash市況在2018年進入風雲變色的調整期，生產業者持續擴大64層3D TLC NAND供貨，新一代製程技術及更大容量規格正伺機而出，供過於求與終端市場買氣不足，導致2018年NAND Flash跌價幅度超過6成。

到2018年底，每GB價格已下探至0.08美元，逐漸逼近部分廠商的成本價，在跌價、擴產等多重因素影響下，2019年市況風雲詭譎，供應鏈洗牌淘汰賽一觸即發，也為全球產業的競合局勢更加增添煙消四起的氛圍。

NAND位元產出連年成長 終端市場亂象橫生
DRAM與NAND Flash記憶體市場在過去幾年幾經產業跌宕，在供過於求壓力下，2015~2016年市價下滑，2017年再度風生水起、漲勢不止，然而產業榮景未如預期延續，各家大廠競相強化投資規模，3D NAND Flash新增產能開出，市場需求卻成長平緩，加速2018年全球NAND Flash價格一路走跌。
受到技術與良率瓶頸，2018年3D NAND良率提升速度並不如預期順利，因而導致次級品在外流通銷售，進而干擾市場價格，對應至終端應用，消費型SSD市場首當其衝。
從2017年12月中~2018年第3季跌價幅度已經逾5成，120G SSD價格超跌下探0.2美元／GB關卡，品質參差不齊的問題延續至第3季，至於240GB和480GB價格在2018年累積跌幅也分別超過4~5成以上。
業界原先期待在第3季傳統旺季效應下，NAND Flash價格有望止跌反彈，不料智慧型手機出貨平淡、換機熱潮難再重現以及PC市場飽和等因素，導致旺季不旺，而供應端的64/72層3D NAND產出增加，供給過剩庫存無法順利去化，第3季平均合約價格跌幅達10~15%。
相較於第3季市況呈現價跌量增，到了第4季進入了價量齊跌的局面，美中貿易戰升溫的市場憂慮、英特爾(Intel)CPU缺貨以及蘋果(Apple)新機銷售欠佳，終端預期跌價心理因素，加速了第4季合約價跌幅擴大，業界估計，從年初至第4季的NAND Flash跌幅約達6成，遠超過年初預期。
據DIGITIMES Research估計，NAND Flash位元出貨量從2017年起連續呈現3~4成的成長率，包括在2017年成長36%、2018年拉升至成長43%，即使業界預期，2019年NAND Flash價格將會進一步走跌，但依舊有更多產能前仆後繼投入，預計2019年位元出貨量仍達到39%，整體市場延續供過於求風雨欲來。

96層堆疊邁向主流 QLC量產帶來容量價格戰
NAND Flash技術製程的升級，在強化了個別企業的競爭力之餘，也發揮了大容量及儲存密度的成本優勢，國際大廠如三星電子(Samsung Electronics)、東芝(Toshiba)與威騰(WD)、美光(Micron)、英特爾、SK海力士(SK Hynix)投入軍備競賽的戰線延長。
目前3D NAND已是各大原廠主要量產製程，其中，三星3D NAND約佔85%、東芝與威騰為75%、美光達到90%，SK海力士也達到60%，2018年下半起，部分業者已轉向96層堆疊邁進，單顆Die容量也邁入1Tb(128GB)。
各家NAND業者大舉進攻新世代製程，2018年也是QLC(4bit/cell)架構量產元年，相較目前TLC NAND，QLC NAND技術的位元密度高出了33%，將可發揮高容量優勢。
其中美光搶得業界先發量產，首先將64層QLC產品推入企業級應用，鎖定伺服器市場，而三星也不甘示弱切入消費性電子市場，並推出1Tb QLC SSD新品，後續再推出企業用QLC SSD。三星近期宣布QLC SSD產品價格，比起2018年1月上市相同容量的TLC SSD約便宜40%左右，儼然透露出積極價格攻勢的強烈企圖。
部分反應較快的廠商早，已嗅到大容量價格戰的到來，從年中起陸續降價出清庫存的中小型容量SSD，試圖降低QLC帶來的衝擊，接下來SK海力士、威騰與東芝也將各自推出自家的QLC產品，容量最高可達單顆4TB的儲存量，TB級SSD時代即將來臨。
不過先前一度傳出64層QLC良率偏低，QLC晶粒良率僅約5成左右，以此估計，2019年上半恐怕將再度重演2018年市場次級品拖累價格的夢魘，且QLC製程更為困難，估計業界改善量產良率的時間可能會再拖長。

大陸記憶體業者崛起 NAND扮演領頭羊
據大陸市調公司統計，2018年全球半導體市場規模達到1,500億美元，其中NAND Flash超過570億美元，而大陸市場消耗了全球產能的32%，這意味著大陸已成為全球主要的市場，為了擺脫長期對外採購的依賴，大陸記憶體晶片自主發展成為當務之急。

由 DIGITIMES 轉載