新聞 : 英特爾大連廠轉型生產 NAND Flash，中國儲存記憶體市場更蓬勃

半導體產業龍頭英特爾 20 日宣布與大連政府配合，
將原先以 65 奈米製程生產處理器晶片的中國大連廠，
轉型為生產最新的 3D-NAND Flash 晶片，
總投資金額高達 55 億美元，預計於明年下半年開始量產。

根據 TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 最新公布數據，
2015 年整體中國市場 NAND Flash 總消耗量換算產值高達 66.7 億美元，佔全球產值 29.1%，
明年更可望達到全球 NAND Flash 產量的三分之一，成長幅度十分驚人。

DRAMeXchange 研究協理楊文得表示，英特爾大連廠在 2010 年完工，
原先規劃以 12 吋晶圓搭配 65 奈米製程來生產中央處理器為主，
但經營績效不如預期。此次轉型生產最先進的 3D-NAND Flash，
除了可以提升大連廠的生產績效外，也可望搭上中國記憶體消耗量起飛的快速成長期，
以及最重要的配合中國政府積極投入記憶體產業的大趨勢，可謂雙贏布局。

根據英特爾投資金額與大連廠的產能建置來評估，
DRAMeXchange 初步預估每個月至少可布建 30,000-40,000 片的 3D-NAND Flash。
英特爾在與美光共同開發 3D-NAND Flash 以及 3D XPoint 等戰略合作關係更加緊密的情況下，
新增的大連廠 3D-NAND Flash 產能將提供美光英特爾陣營更有彈性的產能規劃，
來滿足高成長的固態硬碟需求。

楊文得進一步表示，NAND Flash 市場在今年第四季到明年第一季供過於求的格局將不會產生變化，
但在 NAND Flash 產業低檔時刻，
中國政府仍積極加速推動中國本土 NAND Flash 與 SSD 供應鏈的布建
（中國模組大廠江波龍與主控芯片廠 Marvell 戰略合作、武漢新芯持續加速 3D-NAND Flash 的開發等），
並加強透過與國際 NAND Flash 大廠合作的串聯契機
（三星西安廠 3D-NAND Flash 產能明年可望提升每個月 10 萬片的水準），
預期未來英特爾大連廠明年下半年完工後，中國 NAND Flash 市場將更為百花齊放。

由 TechNews科技新報 轉載