新聞 : DRAM技術大轉彎

據韓媒Kinews等的報導，
三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，
日前傳出將延至2019年，取而代之的是對現有產線進行補強投資，
期望獲利維持一定水準。

SK海力士2018年下半，
則是將投資重心集中於NAND Flash，NAND Flash新廠投資進度正在加速，
DRAM只會進行小規模補強與轉換投資。
(參見DIGITIMES《南韓記憶體廠重整投資步伐
三星DRAM新產線投資放緩、SK海力士加速NAND Flash新廠量產》)

這則新聞其實是意料中的事，但卻不是因為公司宣稱的市場因素，
也不是媒體所猜測的大陸DRAM產能將陸續釋出的緣故。
要講究，我猜是技術面的原因。

多年前我負責公司的技術授權和技術共同開發談判，技術共同開發一向難談，
因為這是雙方核心利益，可是那次對方居然爽快的答應了。
在談判桌上輕易得來的利益要戒慎恐懼，因為其中可能藏有視野之外的死角。
想了很久才想明白，對方已有另外的技術驅動(technology driver)產品，
而我們所談的技術合作產品整整落後兩個世代，是無關緊要的副產品，是以好談。
事後產業的發展態勢果然也一如預期。

回看這則新聞，單純從市場面看是有點反智的。
DRAM市場目前價格並不差，反倒是NAND的價格還在持續滑落中。
擴大價格低落的產品線，不是拿石頭砸自己的腳嗎？
但是技術才是高科技產業的核心競爭力，看新聞得從這角度。

3D Flash目前技術在96層，
但是技術路標的能見度已至512層－3D Flash做為高科技產業的技術、
產品還可長可久，投資於此，理所當然。

DRAM製程推進已很緩慢，目前的製程是1y，有EUV的助力，也許可以推進到1z，但是1a呢？
很多人持疑。即使可以，也是投資甚鉅、所得甚微的最後努力。
對於一個商業公司，最合理的是採取收割策略，少量投資，改善良率，
並且利用韓國機器設備3年折舊的制度，在未來的DRAM市場持續保有價格優勢，獲得最大利益。

DRAM自然也不會從此就從市場上消失。
在CPU與NAND Flash的速度還存有巨大落差，
這是目前記憶體體制(memory hierarchy)的現況。
所以合理的情境是已有新興記憶體(emergent memories)的技術已接近成熟，
可以填補這個區位，是以兩家大廠膽敢停止於DRAM的投資。
從目前各新興記憶體的技術進展來看，讀寫速度都已紛紛進入10ns的目標區，
而且不需要更新電流(refresh current)，於功耗問題大有好處。
這些技術也都可以3D堆疊，在每位元價格上，遲早能跟DRAM競爭。
所以我的臆測是這樣的投資型態意味著新型態記體快要問世了。

另外一個附帶的小問題是：對於目前急於踏入DRAM市場競逐的新廠商，
營運計劃中對這可能存在的產業大轉彎，你們可有plan B？

https://www.digitimes.com.tw/col/article.asp?id=954