新聞 : 英特爾中國大連第 2 期 NAND Flash 工廠投產，將生產 96 層堆疊產品

處理器大廠英特爾（Intel）在 2015 年宣布，
其總投資 55 億美元的中國大連的 Fab 68 晶圓廠
第 2 期工程改造為 NAND Flash 快閃記憶體工廠之後，現在宣布已經正式投產。

未來，主要將生產 96 層堆疊的 3D NAND Flash 快閃記憶體，積極追趕競爭對手的市占率。

根據統計，在全球 NAND Flash 快閃記憶體市場上，
南韓三星的市占率高達到 37%，東芝、威騰電子則分別有 20%、15% 左右的市占率。
再來才是美光、SK Hynix，英特爾是全球 6 大廠商中市占率最少的，
不足 10%，這也導致英特爾過去在 NAND Flash 快閃記憶體，
以及 SSD 硬碟市場上主打企業級市場，消費等級 SSD 市場就放置在重點之外，
造成影響力遠不如三星、東芝、美光等競爭對手。

而會有這樣情況的原因，就在於英特爾沒有自己獨立的 NAND Flash 快閃記憶體產能。

而為了填補此空缺，2015 年英特爾宣布，
將在中國大連 的Fab 68 工廠建設第 2 期工程，用於生產非易失性記憶體，
也就是 NAND Flash 快閃記憶體，總投資高達 55 億美元。

如今，經過 3 年的建設，Fab 68 工廠的第 2 期工廠正式投產，
主要將生產 96 層 3D NAND 快閃記憶體，
這也意味著英特爾未來的3 D NAND 快閃記憶體產能將會大增。

據了解，英特爾 2006 年與中國大連市政府達成合作協定，
2007 年起在大連投資 25 億美元，建設 12 英吋晶圓廠，主要負責處理器封裝測試，
2010 年大連晶圓廠正式落成。

至於，現在宣布量產的中國大連 Fab 68 第 2 期工廠，
未來將成為英特爾最重要的 NAND 快閃記憶體生產基地。
預計，英特爾的 70% 3D NAND 快閃記憶體將產自這裡。

至於，與美光共同合作的 3D XPoint 快閃記憶體，
則在英特爾與美光宣布兩家公司分道揚鑣之後，
英特爾正在把研發基地移師到新墨西哥州的工廠，
預計會增加當地 100 多個工作崗位。

目前，英特爾與美光的 3D XPoint 快閃記憶體主要是在美國猶他州的工廠生產。
雙方在正式分道揚鑣之前，將會繼續努力合作完成第 2 代 3D XPoint 技術開發，
最終將會在 2019 年上半年完成並開始推出市場。
但之後兩家就會各奔前程，各自開發基於 3D XPoint 技術的第 3 代產品。

由 財經新報 轉載