新聞 : 東芝與威騰電子合資新晶圓廠開幕，9 月量產 96 層 3D NAND Flash

日本記憶體大場東芝記憶體（Toshiba Memory Corporation）
與威騰電子（Western Digital）於 19 日宣布，
共同在日本三重縣四日市的 6 號晶圓廠（Fab 6）舉行開幕儀式。
該廠為新設先進半導體製造廠區，並設有記憶體研發中心（Memory R&D Center）。

東芝記憶體是自 2017 年 2 月開始興建 6 號晶圓廠，
為生產 3D NAND Flash 快閃記憶體的專用生產廠區。

東芝記憶體與威騰電子已針對沉積（deposition）與蝕刻（etching）
等關鍵生產製程開始部署先進製造設備，
新廠已經在 9 月初開始量產新一代 96 層 3D NAND Flash。

有鑑於 3D NAND Flash 在企業伺服器、資料中心及智慧型手機的需求不斷成長，
未來幾年這些需求將持續擴大的情況下，為因應此市場趨勢，
未來可望進一步投資擴大產能。

而且，與 6 號晶圓廠相毗鄰的記憶體研發中心，
也已經於 2018 年 3 月開始營運，負責研發及推動 3D NAND Flash 的發展工作。

東芝記憶體進一步指出，
將與威騰電子持續推動並擴展雙方在記憶體事業的市場領導地位，
積極開發各項計畫以強化競爭力，推動 3D NAND Flash 的共同開發，
並根據市場趨勢規劃資本的投入。

對此，東芝記憶體社長暨執行長成毛康雄（Yasuo Naruke）表示，
東芝記憶體很高興有這個機會能為新一代的 3D NAND Flash 開拓更廣闊的市場。
而 6 號晶圓廠和記憶體研發中心能讓東芝記憶體在 3D NAND Flash 市場中維持領先地位，
而且相信與威騰電子的合資事業，將能協助四日市的工廠繼續生產市場上最先進的記憶體。

威騰電子的執行長 Steve Milligan 也同時指出，
很榮幸能與威騰電子的重要合作夥伴──東芝記憶體一起為 6 號晶圓廠和記憶體研發中心揭開序幕。
近 20 年來，兩家公司合作無間，帶動了 NAND Flash 技術的成長和創新。

此外，目前也正積極提升 96 層 3D NAND Flash 的產能，
以因應從消費性、行動應用到雲端資料中心等終端市場的各式商機，
且 6 號晶圓廠具備先進技術設備，將進一步提升東芝記憶與威騰電子在業界技術領先和成本領導的地位。

由 TechNews科技新報 轉載