新聞 : 內存價格結束"超級上漲週期" 海力士三星按下預警鍵

上漲了兩年多的內存市場近期開始出現波動。

近日，韓國存儲器大廠SK海力士表示，為了應對2019年包括NAND Flash快閃存儲器及DRAM的價格的下跌，公司決定不但將自2018年底前開始減少投資規模，還將監控並調整2019年的產能。同時，另一家內存市場巨型玩家三星也表示，將放緩存儲器半導體業務的擴張步伐。據了解，三星2018年下半原計劃對DRAM及NAND Flash進行新投資，但現在或將延至2019年，取而代之的是對現有產線進行補強投資。

目前三星、SK海力士、美光在DRAM產業的市佔率達到90%以上，而中國更是全球最主要的存儲芯片消費國，過去受存儲芯片漲價因素，2017年，中國進口存儲芯片889.21億美元，同比2016年的637.14億美元增長39.56%。

集邦諮詢半導體研究中心(DRAMeXchange)研究副總經理郭祚榮對第一財經記者表示，內存價格下滑的主要原因在於客戶的庫存變高以及市場逐步走入淡季，而導致客戶需求變低的原因在於終端需求不佳。

“整體第四季度價格已經下跌，預計明年整年下跌的趨勢可能性高，上半年跌幅將較為劇烈。”郭祚榮對記者說。

根據集邦諮詢半導體研究中心的最新調查顯示，雖然下半年是產業旺季，但市場持續供過於求，DRAM第三季合約價格季漲幅縮小到僅有1%到2%，第四季可能反轉下跌5 %，也不排除跌幅持續擴大的可能性，終結價格連續九個季度上漲的超級週期(super cycle)。而NAND Flash均價在第三季下跌約10%之後，第四季因受中美貿易摩擦波及，預估跌幅將大於第三季，擴大至約10~15%，渠道市場主流3D TLC顆粒合約價跌幅甚至將超過15%。

對於中國市場的影響，郭祚榮認為，中國存儲行業玩家明年才剛進入量產，投片無大幅增加下，價格下跌衝擊不大。他對記者表示，廠商應該先視求品質上的穩定為首要任務。

這兩年，隨著智能手機等終端設備的崛起，中國市場對於全球DRAM和NAND的消化量已經高達20%與25%，為存儲器最大需求國。

據記者了解，存儲在手機中的成本已經達到25%-35%，同時，由於存儲芯片漲價過快，已引發了包括手機、固態硬盤、內存條等產品的陸續漲價。其中，瘋狂的內存條則是一年內漲幅300%。

而隨之而來的內存價格飆漲也讓不少投機者賺到了不少錢，炒內存條被稱為“比炒房還要賺錢的生意”。”

從2016年第二季度開始，DRAM（主要包括PC內存、移動式內存、服務器內存）價格一路飆升，每個季度都在刷新銷售額紀錄。IHS Markit最新數據顯示，2017年全球DRAM產值跳增72%，達到722億美元，2018年預估將進一步擴增至844億美元，年增率達16.9%。而上一次這樣的盛景出現，還是在23年前。

在2017年底、2018年5月，中國反壟斷機構就以持續漲價問題分別約談三星、美光。

根據美光、三星、海力士財報統計，2017年，三家公司的半導體業務在中國營收分別為103.88億美元、253.86億美元、89.08億美元，總計446.8億美元，同比2016財年的321億美元增長39.16%。

雖然對未來的芯片價格表現出了擔憂，但SK海力士在7月至9月的營業利潤同比依然增長73％至6.5萬億韓元（57億美元）。根據信息巨頭Refinitiv的數據，Sk第三季度的實際收益超出19位分析師的平均預測——6.3萬億韓元。與去年同期相比，SK海力士銷售額增長41％，創下11.4萬億韓元的歷史新高。

國內目前三大內存基地長江存儲，合肥長鑫，福建晉華等由於技術原因，還未對三星造成威脅。但近日，傳聞台積電也將進入內存領域，台積電錶示，不排除收購內存芯片企業，這意味著台積電將有可能直接在DRAM領域中與三星正面較量。

有分析指出，雖然三星和海力士等有意控制上游出貨節奏，但隨著中國廠商的逐步量產以及台積電的規劃都有可能對接下來的存儲市場格局帶來變數。

由 新浪科技 轉載