新聞 : 三星、Hynix明年激戰18奈米DRAM 美光16奈米遭質疑

三星電子、SK Hynix與美光預料都會在2016年開始量產18奈米製程技術的DRAM，
下一個目標則將瞄準10奈米。

BusinessKorea 13日報導，三星、SK Hynix在量產18奈米DRAM之後，
打算運用ASML製造的極紫外光(EUV)微影設備，
目標是在2020年將DRAM製程技術逐步從15奈米進一步演進至10奈米。

美光也打算在一年內對日本廣島廠注資1,000億日圓(相當於8.34億美元)、
量產16奈米製程DRAM，產量可較20奈米製程多出20-30%，對三星與SK Hynix構成威脅。

不過，想要克服20奈米製程的限制，則必須改變介電層的設計，
才能使用原子結構比現有的分子結構更為緊密的材料，
而美光目前還未取得相關技術，也讓市場專家對美光的野心產生懷疑。

另外，若想要導入16奈米製程技術，
美光也需購入每台要價1,000億韓圜(8,700萬美元)的EUV設備，
該公司對日本的投資額還不太夠，而ASML每年也僅能生產7-8台EUV設備。

相較之下，三星打算在明年下半年開始量產18奈米DRAM，
並計畫將DRAM的製程技術從18奈米演進至15奈米、並於2020年進一步拉升至10奈米。

SK Hynix在今年第3季成功量產20奈米DRAM之後，
將在明年第1季研發18奈米技術、希望最快能趕在明年下半年量產18奈米DRAM。

業界消息人士指出，
三星在20奈米DRAM與競爭對手保持了一年(甚至更多)的差距，但在10奈米預料會面臨對手競爭。
三星的DRAM市佔率已再創新高，再加上SK Hynix的份額，
兩家韓國公司已壟佔全球超過八成的DRAM市場。

韓聯社報導，據市調機構IHS統計，三星第二季DRAM市佔率來到45.2%，
較前季成長1.1個百分點，刷新2011年所寫下45%的紀錄。
自去年第三季以來，三星DRAM市佔率每季都在四成以上。
業界人士認為三星在20奈米製程技術的硬實力，全球無人能敵，
是三星得以在DRAM半導體業務上取勝的重要因素，
且短期之內，尚看不到對手可對三星造成威脅。

由 MondyDJ 理財網 轉載