新聞 : 因應需求放緩　三星擬減產記憶體

據《彭博社》(Bloomberg)報導，
韓國三星電子(Samsung Electronics)開始削減記憶體產量，
以因應市場需求放緩時維持供應均衡。

該報導中援引未具名消息來源表示，
三星預計今年DRAM的位元成長將不到20%，而NAND快閃記憶體位元成長則約30%。
相形之下，三星今年稍早時曾預估，今年DRAM和NAND的位元成長分別約有20%和40%。

在歷經過去18個月來的大幅成長後，記憶體晶片市場開始走軟，
產業分析師並提醒道，在供過於求的情況下，市場即將出現下滑。

2018 Forecast of IC Market Growth by Segment IC Insights預計在2018年，
IC類的成長速度將超過整個半導體市場（來源：IC Insights）

市場研究公司IC Insights預計，DRAM市場將在2017年成長76%，之後並於今年成長約53%。
隨著DRAM的平均銷售價格(ASP)增加，持續推動市場成長至今年上半年並進入8月。
該公司認為，DRAM的ASP以及隨後的市場成長正處於或接近峰值，
「針對計劃產能升級和擴張的DRAM資本支出大幅增加，
可能致使陡峭成長的市場從2019年開始剎車。」

IC Insights並預計，
NAND銷售額在2017年成長46%後，今年將成長29%。
但是，NAND市場的平均銷售價開始下滑。

另一家追蹤記憶體晶片價格的研究公司DRAMexchange則表示，
相較於第二季，第三季NAND ASP將下跌近10%。

野村(Nomura)旗下研究公司表示，
三星再次決定推遲該公司位於南韓平澤(Pyeongtaek)的P2廠DRAM產能投資。
此外，三星也將延遲位於南韓與中國一部份計劃的NAND產能投資。
該公司的分析師認為，三星推遲的作法目的就在於控制產能供應並支撐價格。

由 EET TAIWAN 轉載