新聞 : 記憶體四強 大戰3D NAND 恐全盤打破平衡競局

儘管目前全球記憶體四強勁局維持平衡狀態，
然近期各廠投資動作頻頻，包括三星電子、美光與東芝為量產3D NAND Flash，
紛投資建廠或以寄有生產線進行轉換，SK海力士亦可能利用M10廠生產3D NAND Flash，
業界預期未來3~4年內記憶體產業既有平衡競局恐將被打破。

半導體業者表示，3D NAND Flash技術是未來記憶體產品主流，
然技術層次及難度十分高，目前在製程良率上仍面臨許多挑戰，
預計2016年真正順利量產的記憶體大廠只有三星，
其他業者仍在全力追趕中，全球3D NAND賽局甫揭開序幕。

值得注意的是，3D NAND技術帶來突破性的成本降低，
將攸關固態硬碟市場發展，未來雲端伺服器及企業SSD應用，
急需成本降低的記憶體解決方案來驅動市場快速成長，
目前看來3D NAND技術能做到大量取代傳統硬碟，
讓SSD市場滲透率飛躍前進。

現階段全球記憶體產業維持四強寡佔的平衡競局，
但各廠檯面下投資動作暗潮洶湧，
三星與海力士在2015年初宣布大規模的長期設備投資計畫，
美光與東芝亦致力發展NAND Flash新技術，建廠計畫如火如荼進行中，
業界預期記憶體產業平衡狀態可能在未來3~4年內被打破。

跟巨韓媒D-Daily報導，海力士最近宣布未來10年內將投資46兆韓元，
興建包含利川M14在內的3個新廠，若加計維護及建物設備投資，
總投資額高達75兆韓元。

目前海力士擁有12吋生產線有利川M10、忠北清州M11、M12及大陸無錫HC2，
其中利川與無錫廠生產DRAM，清州廠生產NAND Flash，
原本M10廠負責的DRAM會轉移到M14廠生產，
M10廠20奈米級DRAM產能為13萬片12吋晶圓，
M14新廠產能為20萬片，未來將可視需求快速擴產，
至於M10廠未來可能用生產矽統晶片、NAND Flash或做為研發設施。

三星正在京畿道平澤建設新廠，預定2017年上半啟用，
第一期投資額15.6兆韓元(134億美元)，估計12吋晶圓產量可達20萬片，
但生產項目仍未定;原本打算做為系統LSI廠的華城17產線，先改為生產DRAM; 
至於三星大陸西安NAND Flash場首期生產規模為每月10萬片12吋晶圓。

美光在購併爾必達之後，將新加坡DRAM廠轉為生產NAND Flash，且致力發展3D NAND Flash，
新加坡10X廠第1季開始進行量產3D NAND Flash的設備轉換，預定2016年中投入量產。
至於美光與Intel合資公司IM Flash，則陸續購併美國與新加坡NAND Flash工廠投入營運。
另外，日廠東芝與美國SanDisk合資的3家大型NAND Flash製造廠亦陸續啟動。

由 DIGITIMES電子時報 轉載