新聞 : NAND 價格腰斬、中國將量產 DRAM，韓記憶體廠跳水重挫

記憶體的超級多頭循環走了兩年，
近來空方勢力再起，高呼好日子將盡，
本週開始出爐的亞洲記憶體廠財報，將可印證空方說法是否屬實。

路透社 25 日報導，
近來 NAND Flash 和 DRAM 雙雙出現警訊。

以 NAND Flash 來說，3D NAND 組裝成本低於平面 NAND，
今年生產大增、供過於求，迫使小型業者砍價保衛市占。
和 2017 年高峰期相比，NAND Flash 均價將近對半砍，只剩全盛期的一半左右。

DRAMeXchange 主管 Alan Chen 表示，
NAND 均價下滑之快，遠超過成本削減的速度，廠商毛利不斷惡化。
他預測今年 NAND 價格將持續走低。
野村也估計，今年 NAND 供給會成長 40~50%，需求則放緩，價格會下跌近 20%。

DRAM 方面，儘管今年 DRAM 價格上漲 20%，
但是北京指控主要生產商操控價格，
中國又全力扶植自家三大 DRAM 廠──長江存儲（Yangtze Memory Technology）、
合肥長鑫（Innotron Memory）、福建晉華（Fujian Jinhua），
中國廠即將進入量產階段，DRAM 恐會受壓。

HI Investment & Securities 分析師 Song Myung-sup 指出，
明年上半為止，中國廠商 DRAM 產量仍少，
但是隨著良率提高、產出拉升，估計明年下半會開始影響半導體市場。
Gartner 首席分析師 Andrew Norwood 預測，2020、2021 年 DRAM 廠的營收將會驟降。

相關憂慮讓記憶體大廠受挫。
台北時間 25 日早盤，SK 海力士下跌 1.67%、報 82,200 韓圜；
23 日暴跌 7.05%。25日早盤，三星電子下跌 0.11%、報 46,100 韓圜；23 日挫跌 2%。

由 財經新報 轉載