新聞 : 記憶體大廠每年擴增 40% 高昂資本支出，致力提升 3D NAND 產能

據調研機構 IC Insights 週二 (10 日) 最新研報指出，
預計全球主要 NAND 供應商將大幅擴大資本支出，來拉高產能，
估計今年的 NAND 記憶體價格將進一步走跌。

如上圖 所示，美光認為，NAND 記憶體產業為了維持出貨成長，
每年都將增加 40% 資本支出擴增產能，2015 年資本支出為 90 億美元，
到 2018 年已增加 2 倍達 220 億美元，之所以有這麼龐大的資金成長，
是各廠都積極往 3D NAND 方向佈局，
由於 3D NAND 需要更多的晶圓廠設備與無塵室，造成資本支出金額成長。

全球五大 NAND 記憶體供應商也都聲稱，
相信未來幾年內，NAND 出貨量每年的成長率平均約為 40%。

而如上圖所示，去年美光為要支援 NAND 記憶體 40% 的出貨量增長，
事實上實際資本支是出比所需之資本支出還要超出 27%，
而今年預計將會有超過 41% 的額外資本支出，資本支出預算一路擴大。

記憶市場的歷史先驅表明，過多資本支出通常會導致產能過剩，以及價格疲軟；
三星、海力士、美光、英特爾、東芝、Western Digital 
和武漢新芯都計畫未來幾年內大幅提升 3D NAND 記憶體產出數量，
其他新的中國廠商也可能會持續進入這個市場。
IC Insights 認為，產業各廠高估 3D NAND 市場需求，風險持續不斷升溫。

由 INSIDE 轉載