新聞 : 兆易創新朱一明辭任執行長，改接合肥長鑫執行長衝 DRAM 量產

根據中國媒體報導，全力發展記憶體產業的中國企業，近期又開始有新產品投入量產。
那就是合肥長鑫日前宣布已經開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體。
巧的是，就在合肥長鑫宣布開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體之後，
兆易創新的董事長兼執行長的朱一明，也隨即在 7 月 16 日宣布辭去兆易創新執行長職務，
由合肥長鑫原執行長王寧國的手中，正式接任合肥長鑫存儲及睿力執行長，
顯示中國對發展記憶體產業的重視，並希望借助朱一明的經驗，來打造中國記憶體產業版圖。

報導指出，2017 年，中國總計進口了 896 億美元的記憶體，也就是幾乎 100% 依賴進口，
這使得記憶體產業也被中國列入重點發展的產業之一。

但是，對比南韓，三星 17 日宣布，將量產新一代的 8Gb LPDDR5 DRAM 記憶體的情況，
在中國，雖然紫光集團旗下的西安紫光國芯雖然有 DDR3、DDR4 記憶體顆粒生產。

不過，技術來源是之前已經破產的奇夢達。
因此，對於合肥長鑫能開始投產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體來說，
可說是中國廠商在記憶體市場上的一次新的突破，使得各界格外關心這件事情。

目前，中國有 3 大記憶體生產基地，
其中，由紫光集團主導的長江存儲以武漢為基地，
主要生產 3D  NAND Flash 快閃記憶體為主，
預計 2019 年將正式投產 32 層堆疊的 64Gb 快閃記憶體。

至於，選擇生產 DRAM 記憶體的有兩大陣營，
包括福建晉華集團與台灣晶圓代工大廠聯電合作，在福建晉江設立的 DRAM 生產晶圓廠。
另一個，就是這次預備生產 8Gb LPDDR4 DRAM 記憶體的合肥長鑫。

目前，合肥長鑫的合作夥伴就是兆易創新。
兆易創新在 2017 年 10 月宣布斥資人民幣 180 億元進軍 DRAM 市場，
與合肥市產業投資控股有限公司合作，
目標是研發 1x 奈米等級的 19 奈米製程的 DRAM 記憶體，
預計在 2018 年 12 月 31 日前達到產品良率不低於 10% 的目標。
而整個合肥長鑫的 DRAM 投資案超過 72 億美元，工程將分 3 期完成。
目前的第 1 期的 12 吋晶圓廠工程，預計投產後可達到月產能 12.5 萬片的規模。
而這樣的產能達到全球 DRAM 記憶體產能的 8% 市占率。

目前，合肥兆鑫已經正式投片生產 8Gb LPDDR4 的 DRAM 記憶體，
成為中國首個生產該規格 DRAM 的廠商。

此外，合肥兆鑫執行長王寧國在 2018 年 4 月在出席合肥舉辦的
 ?國家積體電路重大專項走進安徽活動? 上表示，
合肥長鑫的一廠廠房已經於 2018 年 1 月建設完成，設備也開始安裝。

根據計畫，合肥長鑫將於 2018 年年底推出 8Gb DDR4 DRAM 樣品，
2019 年第 3 季推出 8Gb LPDDR4 DRAM 產品，
至 2019 年年底，產能將達到每月 2 萬片的規模。
而且，從 2020 年開始，也將開始規劃 2 廠的興建，
並於 2021 年則完成 17 奈米製程的研發。

而就在合肥長鑫推出這些計畫之後，
王寧國也在日前宣布離職，由兆易創新董事長朱一明接任該職位。

據了解，合肥長鑫在此關鍵點會有這樣的人事調動，
一方面與王寧國完成廠房建立接段性任務有關，
另一方面也希望藉助過去之一明在研發及量產銷售上的經驗，
為合肥長鑫未來的發展進行加持。

而這樣的人事安排，有消息指出是通過了合肥相關單位與大基金的同意，
未來接任合肥長鑫執行長的朱一明，將會持續執行研發與生產的工作。

由 財經新報 轉載