新聞 : 三星 3D NAND、DRAM 產出延宕，拖累設備商科林股價？

半導體蝕刻機台製造商科林研發公司（Lam Research Corp.）
受到市場謠傳三星電子（Samsung Electronics）的 3D NAND 型快閃記憶體、DRAM 產出延宕影響，
股價跳空下挫，拖累美國費城半導體指數週四（6/7）走弱。

MarketWatch、barron’s.com 報導，
向來看多的 Evercore ISI 分析師 C.J. Muse 7 日發表研究報告指出，
通路調查顯示，科林 4~6 月、7~9 月這兩季的出貨量恐怕會低於預期，
預料將驟減 30% 以上，似乎跟三星產出延宕有關。

不過，Muse 認為，三星的記憶體晶片延後產出，
主要是受到毛利率影響，因此這個現象應該僅是短暫的。
另外，NAND 型快閃記憶體的資本支出也有望在 2018 年第四季至 2019 年上半年間逐步復甦。

話雖如此，Muse 直指，雖然科林長期展望不變，短期內股價卻可能受到壓抑，
直到該機構弄清出貨量降幅究竟有多少為止。

Muse 並表示，他聽說科林的狀況比應用材料（Applied Materials Inc.）、
晶圓檢測設備製造商科磊（KLA-Tencor Corporation）還要糟。

科林 7 日應聲下挫 5.4% 收 188.83 美元，創 4 月 30 日以來收盤低，
在費半 30 支成分股中跌幅僅次於半導體測試控制儀器商 MKS Instruments, Inc. 的 7.33%。
應用材料、科磊分別下跌 2.44%、1.28%。

費城半導體指數 7 日終場下跌 0.95%（13.6 點），收 1,424.34 點，結束連續 4 個交易日的漲勢。

由 TechNews科技新報 轉載