新聞 : 受價格持續上揚帶動，第一季全球行動式記憶體產值再創新高

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMeXchange）調查顯示，
去年下半年智慧型手機的新機發表並未如預期帶來換機效應，
因此自去年第四季中開始，市場提早進入傳統淡季。

品牌廠在歷經 3 個月的庫存水位調節後，
於今年 2 月底才見市場需求轉旺，並重啟拉貨動能，
其中又以旗艦新機需求的大容量記憶體居多。

整體而言，第一季受到智慧型手機市場回溫、新機發表，
以及行動式記憶體平均單價上漲的影響，
全球行動式記憶體產值來到 84.35 億美元，較去年第四季提升約 5.3%，
一反以往第一季營收衰退的軌跡，再度刷新歷史紀錄。

展望第二季行動式記憶體產值表現，儘管合約價格漲幅趨緩，
但受惠中國四大品牌華為、小米、OPPO、vivo 的需求持續看旺，
以及 Android 陣營、蘋果陣營旗艦新機主流搭載容量上升的影響，
預估第二季行動式記憶體總產值仍有機會較第一季成長。

DRAMeXchange 指出，以個別供應商的營收表現來看，
三星做為全球第一大的 DRAM 供應商，最先受到中國發改委的關注，
第一季及第二季的報價都因而較過去幾季收斂。

行動式記憶體報價上的受限讓三星另謀出路，
透過積極行銷大容量記憶體並且結合自家先進奈米製程技術，成功取得多數的大容量訂單，
交出第一季營收 47.66 億美元的亮眼成績，鰲占市場龍頭寶座。
製程進度上，三星的行動式記憶體幾乎已全採 18nm 製程，
僅少數 LPDDR3 eMCP 組合還有微量供應 20nm 產品。

SK 海力士雖受惠第一季合約價格的上揚，
但在新製程 18nm 初期良率不穩、產能不足的影響下
無法擴大旗艦機種用 LPDDR4 系列大容量 DRAM 的交付數量，
第一季營收僅季增 2.2%。在行動記憶體的產品規劃方面，
目前 SK 海士力仍以 21nm 的 LPDDR4 系列以及 25nm 微縮製程的 LPDDR3 供給為主，
預估 18nm 產品（包含分離式以及 eMCP）要到第三季才會普及，全年新製程滲透率恐低於 10%。

美光集團第一季行動式記憶體營收達 14.08 億美元，
較上一季成長 10.2%，成長幅度居三大主流供應商之冠，
主要歸功於整體需求不減、價格上揚。

在行動式記憶體製程技術方面，
台灣美光記憶體（原瑞晶）第二季產品規劃仍以提高 17nm 製程比重為主，
而在台灣美光晶圓科技（原華亞科）目前仍以 20nm 為主。
其行動式記憶體產品規劃也改以 LPDDR4 系列為主流產品，預估全年占比將過半。

台系廠商部份，南亞科受惠 IDH 廠因成本（BOM cost）考量改採
分離式（discrete DRAM+ discrete Flash）取代 eMCP，
帶動 LPDDR3 4Gb 出貨增加，營收達 9,600 萬美元，較上一季成長 19.1%。

其行動式記憶體製程技術目前仍以 30nm 微縮製程為主，
未來南亞科將持續提高 20nm 占比，以增加獲利空間。
華邦第一季由於產品應用範圍較小，需求起伏不大，
第一季營收為 4,400 萬美元，較上一季成長 1.2%，表現平穩。

由 TechNews科技新報 轉載