新聞 : 中國首批 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片料今年內量產

新華社報導，
中國位於武漢「中國光谷」的國家記憶體基地專案晶片生產機台 11 日正式進場安裝，
這表示國家記憶體基地從廠房建設階段進入量產準備階段，
中國首批擁有完全自主智慧財產權的 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片將於年內量產，
填補中國在主流記憶體領域的空白。

目前，中國通用記憶體基本全部依賴進口，
國家記憶體基地於 2017 年成功研發中國首顆 32 層 3D NAND 快閃記憶體晶片；
這顆耗資 10 億美元、由 1 千人團隊歷時 2 年自主研發的晶片，
是中國在製程上最接近國際高階水準的主流晶片，
可望使中國進入全球儲存晶片第一梯隊，有力提升「中國晶片」在國際市場的地位。

據了解，
中國國家記憶體基地專案 2016 年由紫光集團聯合國家積體電路產業投資基金、
湖北積體電路產業投資基金、湖北科投共同投資建設，總投資 240 億美元，
專案一期總產能將達到 30 萬片 / 月，年產值將超過 100 億美元。

紫光集團表示，今年 10 月設備將點亮投產，
預計 2019 年底 64 層快閃記憶體產品將實現加速量產。未來十年，
紫光集團計劃至少還將投資 1,000 億美元，相當於平均每年投入 100 億美元，
進一步拉近在高階晶片領域與先進國家的距離。

由 TechNews科技新報 轉載