新聞 : 三星宣布量產 10 奈米製程 32GB DDR4 DRAM，搶攻電競市場

三星電子 30 日宣布，已開始正式量產全球首款 32GB 容量、適用於小型雙列直插式記憶體模組（SoDIMM）規格的電競筆電 DDR4 記憶體。而新的 SoDIMM 記憶體模組是以 10 奈米製程技術打造，可以用戶享受豐富的電競遊戲之外，並具有更大的容量與更快的速度，而且傭有更低的耗能表現。

三星指出，透過使用新的記憶體解決方案，個人電腦製造商可以設計速度更快，針對頂級遊戲的電競筆電產品。其電池續航時間可以較過往產品更長，甚至超越傳統的行動工作站的效能，卻同時保持現有的筆電的輕巧配置。三星電子記憶體市場高級副總裁 Sewon Chun 指出，三星的 32GB DDR4 DRAM 記憶體將會為筆記型電腦帶來前所未有的遊戲體驗。而且，三星還將繼續為包括高接筆記型電腦，桌上型電腦在內的所有分眾市場提供最先進的 DRAM 產品組合，並提高其速度和容量。

新推出的 32GB DDR4 DRAM 記憶體模組，與三星本身在 2014 年推出，以 20 奈米製程技術所生產的速度 8GB，容量為 16 Gb DDR4 SoDIMM 相比，新款 32GB 記憶體模組除了容量增加一倍之外，速度也提高了 11%，能效提高了約 39%。根據測試，配置有兩個 32GB DDR4 記憶體模組的 64GB 容量筆電，其在主動模式下，功耗不到 4.6 瓦（W），閒置時功耗更低於 1.4W。與目前配備 16GB 記憶體模組，針對電競市場的筆記型電腦相比，分別降低了大約 39%，以及降低超過 25% 的用電量。

三星進一步指出，目前已經開始積極擴展其 10 奈米等級製成的 DRAM 陣容。其中，包括了 16Gb LPDDR4，16Gb GDDR5 和 16Gb DDR4 等產品。這對於未來在行動、圖形、個人電腦和伺服器領域迎接速度 16Gb DRAM 的新時代，以及應用在包括高效能運算及汽車電子等領域將會有很大的性能提升助益。

由 科技新報 轉載