新聞 : 次世代記憶體 2年內大戰

記憶體進入10奈米，製程已達物理極限，國際大廠全力布局次世代記憶體，
目前主流最易達商業量產的3D V-NAND，包括三星、SK海力士、東芝╱SanDisk均積極研發，且可小量生產。
英特爾╱美光今年發表3D XPoint架構，革命性發展嚇壞眾家對手，
未來1、2年後市場將爆發，記憶體另一波大戰已隱然成型。

三星2013年搶先宣布投入3D V-NAND量產，官方資料指出，
3D V-NAND相較傳統10奈米方案可提高至少2~10倍可靠度，寫入速度亦有2倍以上的理想表現。
三星3D V-NAND技術能提升應用產品20%的效能表現，並減少40%的功率損耗。
今年8月10日三星更宣布，第3代V-NAND已正式量產，以48層3-bit MLC堆疊的256Gb 3D V-NAND，
這款產品密度是傳統128Gb的1倍，除了單顆晶粒就具備256 Gb的記憶體儲存容量。 

所謂3D架構，是將Cell（儲存單元）直接在晶圓上堆疊，
利用電子穿孔技術串聯至最底層將電路連結，目前技術已達40~50層，
業界預估不久後即可達百層，大大提高單一面積儲存容量。

目前包括東芝、SK海力士的3D V-NAND產品都宣布可以量產，美光則在研發中。
DRAMeXchange研究協理楊文得報告中分析，三星3D-NAND Flash憑藉較佳性價比，
在主要電腦代工業者的Client-SSD供應鏈中獲得多數訂單，迫使其他業者降價競爭，
加速3D-NAND Flash的開發及推出時程，
最快在今年第4季至明年第1季中前送樣測試，3D-NAND Flash的比重將首次突破10%。

但是英特爾、美光於7月29日宣布開發出新世代技術「3D XPoint」，
儲存資料比DRAM高出10倍，讀寫速度與耐受度更是NAND Flash的1000倍，
如此革新技術讓三星、SK海力士大為緊張。 

英特爾下半年搶送樣
3D XPoint 類似次世代 ReRAM 或 PRAM 科技，能完全改變資料儲存方式，
半導體專家相信，自從東芝在 1987 年首次展示 NAND Flash之後，
3D XPoint 會是這 30 年間一個相當重要的變革。

英特爾預計今年下半年就能將 3D XPoint 記憶體原型配送給企業夥伴，
預計採用 3D XPoint 的產品在 2016 年問世，
三星、SK海力士原認為該次世代記憶體最快要到 2019 年才能量產，
怎知英特爾與美光如此之快，也促使他們加快腳步投資次世代記憶體晶片。

3D XPoint不像DRAM，它不需要電晶體就可以執行讀寫，
結構上近似3D NAND 技術，皆為 3D 架構，
但不像 NAND以電荷將資訊儲存於元件，讀寫程序將變得更快，大有取代DRAM及NAND的架勢。 

由 蘋果日報 轉載