新聞 : DRAM價持穩 有利南亞科
記憶體指標大廠三星和美光釋出今年記憶體市況分析,儲存型快閃記憶體(NAND Flash)和DRAM市況不同調 。
三星和美光同指本季NAND價格持續下探,但DRAM價格在伺服器及行動裝置、車用等應用多元下,價格將持穩到年底,對南亞科(2408)等台廠有利。
全球記憶體龍頭三星半導體事業部日前在提出第2季展望時指出,記憶體事業可望在第2季維持強勢表現,不過,本季NAND報價將呈現疲軟,但伺服器、行動DRAM需求將會續強,且主流高容量DRAM訂單也將會走高。
三星在全球NAND Flash和DRAM市占率都居領先地位,其中DRAM市占率達49%,具有價格主導地位,三星看淡NAND Flash價格走勢,也反應NAND Flash隨各家3D NAND轉換製程良率提升、產量提升,價格也陷入向下修正的壓力;DRAM則因供需仍未失衡 ,且應用多元化,本季價格可望持續維持上漲。
記憶體大廠美光科技全球製造資深副總裁艾倫(Wayne Allan)則認為,受惠企業級線上交易、自駕車、雲端大數據、網通、行動裝置、物聯網等六大領域對記憶體需求強勁,但供給端增幅有限,今年記憶體市況仍會健康穩健,其中DRAM價格可持穩到年底。
美光預估今年全球記憶體,DRAM年產量約增20%,NAND Flash產能約增45%。
艾倫強調,美光今年在NAND Flash產能年增率將超過45%,高於產業平均數,凸顯美光也是持續拉升NAND Flash產出。
快閃記憶體控制晶片大廠慧榮總經理苟嘉章則分析,今年上半年快閃記憶體供過於求壓力大,本季跌勢將擴大,不過隨主要品牌手機廠下半年推出新機,增加快閃記憶體搭載量,第3季價格可望止跌。
但他強調, 國際大廠如三星、SK海力士、東芝及威騰(WD)、英特爾及美光等全力擴充產能,今年底96層或QLC規格3D NAND產能將大量開出,上半年價格壓力較大,明年加上中國大陸紫光集團旗下長的長江存儲產出開出,供給量更大,恐再加重明年NAND Flash跌勢。
由 聯合新聞網 轉載