新聞 : 中國三大記憶體陣營預計下半年試產，2019 年為中國記憶體生產元年

全球記憶體市場需求持續不減，國際大廠紛紛投入擴產行動。
包括龍頭三星在 NAND Flash 方面，宣布中國西安開始第 2 期的建設工程，
DRAM 上也有意在南韓平澤（Pyeongtaek）廠大幅生產。

而另一家南韓大廠 SK 海力士，
除了生產 NAND Flash 的 M15 廠預期在 2019 年正式營運之外，
在 DRAM 部分也斥資 86 億美元，將在中國無錫興建第 2 期廠房。

另外，專注在 NAND Flash 產品的東芝，
除了 Fab 6 廠即將在 2019 年營運外，還斥資 70 億美元用於興建 Fab7 廠，
完成後將用於 96 層堆疊的 3D NAND Flash 生產。

美光部分，日前除宣布將在新加坡設立 NAND Flash 的第 3 座工廠之外，
在 DRAM 產品方面，雖然無新擴建產能的計畫，
但是預計將在台灣以提高生產效率來拉高位元成長率的方式，提升產能。

因此，面對各家國際記憶體大廠的來勢洶洶，中國的記憶體廠投資也開始急起直追，
預計也將在 2019 年加入全球擴產戰局。

根據 TrendForce 記憶體儲存研究 (DRAMeXchange) 指出，
中國記憶體產業目前以投入 NAND Flash 市場的長江存儲、專注於行動式記憶體的合肥長鑫，
以及致力於利基型記憶體晉華集成 3 大陣營為主。

以目前 3 家廠商的進度來看，其試產時間預計將在 2018 年下半年，
隨著 3 大陣營的量產的時間可能皆落在 2019 年上半年，
揭示著 2019 年將成為中國記憶體生產元年。

DRAMeXchange 表示，從 3 大廠目前布局進度來看，
合肥長鑫的廠房已於 2017 年 6 月封頂完工，並且於第 3 季開始移入測試用機台。
合肥長鑫目前進度與晉華集成大致雷同，試產時程將會落於 2018 年第 3 季，
量產則暫定在 2019 年的上半年，時程較預期落後。

此外，由於合肥長鑫直攻三大 DRAM 廠最重要產品之一的 LPDDR4 8Gb，
爾後面臨專利爭議的可能性也較高，為了避免此一狀況，
除了積極累積的專利權外，初期可能將鎖定於中國銷售。

反觀，專注於利基型記憶的晉華集成，
在 2016 年 7 月宣布於福建省晉江市建 12 吋廠，
投資金額約 53 億美元，
以目前進度來看，其利基型記憶體的試產延後至 2018 年第 3 季度，
量產時程也將落在 2019 年上半年。

此外，從中國廠商 NAND Flash 的發展進程來看，2016 年 12 月底，
由長江存儲主導的國家記憶體基地正式動土，
官方預期分 3 階段，共建立 3 座 3D-NAND Flash 廠房。

第一階段廠房已於 2017 年 9 月完成興建，
預定 2018 年第 3 季開始移入機台，並於第 4 季進行試產，
初期投片不超過1萬片，用於生產 32 層 3D-NAND Flash 產品，
並預計於自家 64 層技術成熟後，再視情況擬定第 2、3期生產計畫。

DRAMeXchange 指出，觀察中國記憶體廠商的研發與產出計畫，
2019 年將是中國記憶體產業的生產元年。

但也由於 2 家 DRAM 廠預估初期量產規模並不大，短期難撼動全球市場現有格局。
無論是 DRAM 或是 NAND Flash 產品，各家都是初試啼聲，
相較於耕耘多年的既有記憶體大廠所面臨的挑戰更多，
因此亦不排除量產時間點也可能比原先預期延後。

長期來看，隨著中國記憶體產品逐步成熟，
預計2020 年到 2021 年，2 家 DRAM 廠商現有工廠將逐步滿載，
在最樂觀的預估下，屆時 2 家廠商合計約有每月 25 萬片的投片規模，
可能將開始影響全球 DRAM 市場的供給。

另一方面，長江存儲計畫設有的 3 座廠房總產能可能高達每月 30 萬片，
不排除長江存儲完成 64 層產品開發後，可能將進行大規模的投片，
進而在未來 3 到 5 年對 NAND Flash 的供給產生重大影響。

由 財經新報 轉載