新聞 : 中國存儲晶元打破韓美日壟斷局面邁出堅實一步

當前全球存儲晶元主要為韓美日三國所佔有，中國的三大存儲晶元企業長江存儲、合肥長鑫、福建晉華近期紛紛開始安裝機台預計今年下半年投產存儲晶元，這將有望打破韓美日壟斷存儲晶元的局面。

存儲晶元主要有NAND flash、DRAM，在全球NAND flash市場份額前五名分別為三星、東芝、西部數據、美光、SK海力士，市場份額分別為38.0%、17.1%、16.1%、11.5%、11.1%；在DRAM市場份額前三名分別為三星、SK海力士、美光，市場份額分別為45%、28%、21%。

由上可見，全球存儲晶元一哥無疑是三星，其在NAND flash和DRAM市場均佔據優勢的市場份額，而按國家來說韓國是全球存儲晶元的龍頭，擁有三星和SK海力士兩大存儲晶元企業。

中國是全球最大製造國，對存儲晶元有巨大需求，中國採購的存儲晶元佔全球約兩成比例，近兩年全球存儲晶元價格持續上漲對中國產生了巨大影響，導致本來就利潤微薄的行業飽受其苦，要打破這種局面發展自己的存儲晶元無疑是最好的辦法，正是在這種背景下，中國開始積極發展自己的存儲晶元產業。

長江存儲、合肥長鑫、福建晉華擔起了這個重任，長江存儲主要發展NAND flash，合肥長鑫和福建晉華主要發展DRAM，三家企業在去年底實現了廠房封頂，近期開始陸續搬入機台等生產設備，按計劃它們今年下半年將開始試產存儲晶元。

當然中國的存儲晶元企業在投產後還需要在技術方面追趕韓美日等存儲晶元企業，長江存儲當下準備投產的為32層NAND flash而韓國三星去年就開始大規模投產64層NAND flash，長江存儲希望在未來兩三年實現64層NAND flash的技術突破，將技術差距縮短到兩年內。

合肥長鑫、福建晉華計劃投產DRAM，韓國三星當下已開始採用18nm工藝生產DRAM，並正研發更先進的生產工藝，合肥長鑫和福建晉華在投產後預計在工藝方面較這些存儲晶元巨頭還有較大差距，在正式投產後還將面臨著良率問題等，需要時間。

值得注意的是，北京兆易創新公司在DRAM技術上取得了突破，其也與合肥市產業投資控股集團達成了合作協議，計劃投資180億元，採用19nm工藝生產存儲晶元，預計今年底前投產，不過它表示希望今年能實現產品良率達到10%，這說明生產存儲晶元面臨著不少的技術難題，只是良率方面就是一個相當大的難題。

對於中國龐大的製造業來說，即使中國存儲晶元企業初期在技術方面稍為落後，但是這裡對低端存儲晶元依然有強烈需求，這為中國存儲晶元企業提供了生存發展機會，它們總有趕上韓美日存儲晶元企業的一天，中國的許多產業不就是從低端做起，從無到有，從有再到強的發展過程么？

由 中國新聞 轉載