新聞 : 三星中國西安 NAND Flash 擴產動工，預計 2019 年落成啟用

在當前 Nand Flash 快閃記憶體仍舊供不應求，市場價格依舊居高不下的情況下，日前全球 Nand Flash 快閃記憶體龍頭企業的南韓三星，日前宣佈將在本月底正式動工的中國西安 Nand Flash 快閃記憶體廠的擴建計畫，28日正式動工，預計將在 2019 年完工啟用。

據瞭解，該項總金額高達 70 億美元，工程期間達到 3 年的擴廠計畫，是三星在 2017 年的 8 月間所宣佈。目前三星西安廠的第一期產線是在 2014 年所建置，月產能為 12 萬片。如今，新的產線動工建置，未來完成之後將可再為三星增加每月 20 萬片的產能。

只是，該新的 Nand Flash 快閃記憶體的產線雖然對三星極為重要，但三星也曾經一度面臨放棄的狀態。2017 年受到南韓部屬薩德反飛彈系統的事件影響，中國對南韓實施經濟制裁。當時三星就被新任的產業通商資源部長 Paik Ungyu 要求，重新考慮在中國西安投資，並以在本國投資為優先。

三星目前 NAND Flash 快閃記憶體的產能市占高居全球第一，市佔率高達39%。3月初才傳出將投資30兆韓圜在韓國平澤增建新廠，規劃 2019 年底完工，預期到時 DRAM 和 NAND Flash 的產能各占一半。

事實上，受惠於記憶體價格持續維持高檔的情況，三星 2017 年第 4 季 NAND Flash 快閃記憶體的營收達 61.7 億美元，較前一季成長 9.8%。而記憶題報價持續維持高檔的主因，係來自於智慧型手機和雲端伺服器市場的需求大增，出貨量和平均價格同步提高所試。對此，除了三星之外，NAND Flash 快閃記憶體的國際大廠，包括東芝、美光也都正在進行擴充產能。加上中國長江存儲預計在 2018 年大幅開出產能的情況下，屆時勢必牽動市場報價，市場也預期將衝擊下游供應鏈的獲利狀況。

由 科技新報 轉載