新聞 : DRAM逐季看漲 能見度高

研調機構IC insights發布最新研究報告，大幅上修2018年全球IC市場產值，年成長率由8%上修至15%，主要上修的原因來自於DRAM及NAND Flash等記憶體報價、需求強勁所致。

由於記憶體需求不減、產品報價強勁，DRAM產值大幅增加至996億美元、年增37%，遠優於原預估的13%；NAND Flash產值亦大幅增加來到621億美元、年增17%，亦高於原預估的10%。

IC insights亦預估2018年記憶體平均銷售價格可望延續去年漲勢。統計去年平均銷售價格，DRAM大漲約81%、NAND Flash約45%，因此預估全年均價，DRAM可望較去年再上漲約36%，而NAND Flash漲幅約10%。

展望今年第1季，由於Server出貨動能持續，Server DRAM持續供不應求，致Server DRAM報價持續維持高檔不墜，其中DRAM價格3月見到明顯漲勢。

根據外電報導，南韓記憶體龍頭Samsung及SK Hynix已調漲第1季DRAM報價，漲幅約5%至10%，優於原預期3%至5%，包括標準型DRAM、Server DRAM、Specialty DRAM、Mobile DRAM等呈現全面上漲。

集邦科技則預估，位元成長及位元需求成長相當，均在20%左右，其中來自於手機用的Mobile DRAM需求年增14%、Server DRAM成長力道更高於平均20%，上半年供需吃緊，合約價持續上揚。

下半年雖有Samsung Line 18平澤廠2F的產能加入量產及Line 17華城廠由Nand Flash調整產線轉生產DRAM，但同時亦移轉舊產線華城Line 11及Line 13往CMOS產品。

另外，加上DRAM製程難度愈來愈高，主流製程仍以1X奈米為主，接下來的微縮技術將面臨嚴苛的瓶頸，可見Samsung擴產的變數，仍不致於讓市場再度出現嚴重的供過於求，致價格再面臨崩盤的窘境。

除了Samsung以外，SK Hynix仍處於致力提升1X奈米的良率，其擴產計畫不變，預期2019年中國無錫第二座12吋廠才有機會量產；Micron 18年仍以台灣廠進行製程轉換為主，難度高，轉換不易，加上部分產能的耗損，Micron額外增加的產出有限。

整體來看，DRAM產業淡季處於淡季不淡，時序至下半年進入產業旺季，產業能見度高，全年報價可望逐季上揚，產業利多欲小不易。

由 經濟日報 轉載