新聞 : 2017 年 DRAM 整體產值年增 76%，估 2018 年成長率將逾三成

根據 TrendForce 記憶體儲存研究（DRAMe Xchange）調查顯示，
2017 年第四季 DRAM 產業營收表現再創歷史新高。價格方面來看，
受行動式記憶體接棒漲價帶動，以及智慧型手機旗艦機種的旺季效應，
以三星為首的 DRAM 廠拉抬行動式記憶體報價，
帶動行動式記憶體在第四季有 5%~20% 不等的漲幅（取決於不同的容量），
其餘各類 DRAM 產品合約價亦普遍較前季再上漲約 5%~10%。

2017 年第四季 DRAM 產值較上季再成長 14.2%，全年產值成長率達 76%。

DRAMeXchange 資深研究協理吳雅婷指出，展望 2018 年第一季，
PC-OEM 廠已陸續議定合約價格，就一線大廠訂價來看，
PC DRAM 均價已來到 33 美元，較上一季平均漲幅約達 5%；

以北美四大網路服務提供業者為首的資料中心拉貨動能仍強，
帶動本季伺服器記憶體價格上漲 3%~5%。

至於智慧型手機第一季買氣較原先預期低迷，
加上 NAND 跌價與中國發改委因素影響，
行動式記憶體價格漲幅較先前收斂，平均價格小幅上漲約 3%。

整體產值來看，DRAMeXchange 預估，
2018 年 DRAM 產業產值將成長超過三成，規模達 960 億美元。

觀察各廠 2017 年第四季營收表現，三星依然穩坐 DRAM 產業龍頭，
營收達 101 億美元，較上季成長 14.5%，再度創下歷史新高；

SK 海力士營收衝至 63 億美元，較前季成長 14.1%，
兩大韓廠的市占率各為 46.0% 與 28.7%，合計已囊括 74. 7% 市占率；

美光集團仍舊維持第三，營收達 46 億美元，季增 13.4%，市占 20.8%。

受到價格持續上漲以及製程微縮所帶來的成本效益，
三星第四季營業利益率再度改寫歷史新高，由 62% 上升至 64%；
SK 海力士亦從第三季的 56% 再提升至 59%；
美光則從 50% 拉升至 53%。

展望 2018 年第一季，受惠於 DRAM 價格持續上漲與製程轉進所帶來的成本效益，
三大廠在營收表現上可望再創新猷，各家獲利率也可望進一步提升。

三星開啟新一波擴產計畫，SK 海力士 2019 年開出新產能計畫不變

從技術面來看，三星今年的目標除了持續提升 18nm 製程產出比重外，
為期近兩年 DRAM 漲價帶動 DRAM 供應商高獲利，
以及中國潛在競爭者加入，也讓三星決定展開新一波擴產計畫，
將原本規劃做 NAND Flash 的平澤廠 2 樓空間投入生產 DRAM，
一方面因應 DRAM 供給吃緊狀況，另一方面藉由減少未來 NAND Flash 投片量，
來抑制 NAND Flash 的跌價速度，DRAMeXchange 指出，此舉對整體記憶體產業屬健康發展，並非壞事。

此外，SK 海力士去年底開始導入 18nm 生產，
但進入 1Xnm 世代製程難度高、轉換不易，SK 海力士目前仍致力於提升 18nm 良率；
擴廠計畫則維持不變，SK 海力士最快要到 2019 年
才會在中國無錫新建的第二座 12 吋廠看到產能開出。

美光在技術布局方面，
台灣美光記憶體（原瑞晶）17nm 目前產出比重已超過九成，
預計今年第二季初將完成轉換，
而台灣美光晶圓科技（原華亞科）計畫今年中開始進行 20nm 往 17nm 轉換， 
預計今年底可望有一半產能轉往 17nm 生產，並於明年上半年全數導入。

台系廠商部分，南亞科第四季營收較前一季大幅成長 26.9%，
主要歸功於 20nm 轉換良率超乎預期，以及價格持續走揚帶動。
20nm 的成本效益拉升營業利益率至 38.9%，較前一季成長 7 個百分點。
展望未來，由於該公司 20nm 良率繼續提升，將會持續改善其成本結構，增加獲利空間。

力晶科技方面，2017 年第四季 DRAM 營收季持平，
主要還是替晶豪科、愛普等 IC 設計業者代工的獲利較佳，
力晶本身 DRAM 產能轉向更高毛利的產品；

華邦方面 DRAM 營收則下滑 2.2%，主因為 DRAM 產能受 NOR Flash 產能壓縮導致。

由 TechNews科技新報 轉載