新聞 : 2017年為4位元3D NAND Flash技術元年　耐久度與傳速等課題待克服

4位元(Quadruple Level Cell；QLC) 3D NAND Flash理論上一組Cell可記錄16種儲存狀態(4bits/cell)，
其儲存容量較既有技術更加提升，但存在使用壽命較短、傳輸速度較慢等問題，
尚待演算法設計與控制晶片等技術突破。

DIGITIMES Research觀察，三星電子(Samsung Electronics)與東芝(Toshiba)
自2017年中起陸續公布QLC技術3D NAND Flash樣品，
在同樣採用64層垂直堆疊下，分別達到1Tb與768Gb容量。

3D NAND Flash現有儲存型態包括SLC(Single Level Cell)、M
LC(Multi Level Cell)、TLC(Triple Level Cell)，
即1、2、3 bit(s)/cell，SLC不論使用壽命或傳輸速度皆優於MLC與TLC，
然TLC具儲存容量較大優勢，其透過演算法設計及控制晶片作適當彌補，成近年3D NAND Flash主流技術。

同樣的，QLC應用於3D NAND Flash，可望遵循TLC發展模式，
透過演算法設計及錯誤修正程式碼(Error Correcting Code；ECC)等控制晶片技術，
達成以較高儲存密度換取較低儲存成本。

DIGITIMES Research觀察，除三星與東芝外，
英特爾(Intel)與美光(Micron)聯盟亦提及QLC技術，雖未公布實際內容，
但透露出業者看好QLC具儲存容量優勢，且技術瓶頸可望突破，將逐漸應用於3D NAND Flash。

https://www.digitimes.com.tw/tech/rpt/rpt_show.asp?cnlid=3&v=20171229-295&n=1

由 DIGITIMES科技網 轉載