新聞 : DRAM微縮進化！三星量產二代10奈米、產能增30%

三星電子鞏固記憶體霸主地位，20日宣布量產第二代10奈米DRAM，採用此一製程生產的8Gb  DDR4 DRAM(見圖)，效能提高，體積更為歷來最小。

三星新聞稿、etnews報導，三星是全球首家量產第二代10奈米DRAM(1y-nm)的業者，生產出的8Gb  DDR4 DRAM體積極小。和第一代10奈米DRAM(1x-nm)相比，每一片矽晶圓可製造的晶片數量，大增30%。與此同時，二代10奈米DRAM效能提高10%、能耗減少15%。

二代10奈米DRAM未採用極紫外光(EUV)微影設備，運用其他技術解決難題。製程微縮之後，需要在更小的晶片上，塞進更多電容器。但是電容器體積變小，攜帶電荷(electric charge)也會減弱，難以看出是0或1。三星研發出高敏感度的感測系統，能夠正確判讀每個記憶單位的資料。專家表示，此一感測系統技術創新。三星代表更說，新感測系統有望改變業界的遊戲規則。

除此之外，二代DRAM也在位元線(bit lines)周邊，採用氣隙(air-gap)科技，能大幅減少寄生電容(Parasitic Capacitance)干擾。

三星表示，新技術將用於DDR5、HBM3、LPDDR5、GDDR6等，適用於企業伺服器、行動裝置、超級電腦、HPC系統、高速繪圖卡等。

由 MoneyDJ新聞 轉載