新聞 : NAND型快閃記憶體明年報價恐下滑，DRAM供給有變數

摩根士丹利(Morgan Stanley)26日對明年半導體示警，除了調降台積電(2330)評等受到關注，摩根士丹利也對記憶體晶片明年產業前景轉為保守，預期NAND型快閃記憶體報價將比今年下滑，也認為2018年第1季後的DRAM供需能見度降低。

受到摩根士丹利最新報告衝擎；台積電ADR周一重挫4.42%，收41.09美元；記憶體大廠美光(Micron Technology, Inc.)下挫3.28%，收在48.05美元，股價同樣自前一日的歷史天價拉回。

針對記憶體產業後市，摩根士丹利指出，NAND型快閃記憶體報價在2017年第4季開始反轉，後市下跌風險升高，同時，2018年第1季以後的DRAM供需能見度也已降低。

摩根士丹利認為記憶體晶片獲利恐難再顯著成長，將三星電子公司(Samsung Electronics Co Ltd)的投資評等自「加碼」降至「中性」、目標價下修3.4%。

摩根士丹利也將硬碟機製造巨擘Western Digital Corporation(WDC)的投資評等從「加碼」調降至「中性」，預期NAND型快閃記憶體報價將觸頂，估2018年第1季起NAND Flash報價恐下滑7-15%。

從市場面來看，NAND Flash明年上半年缺貨情況可望獲得紓解，主要是製造廠三星、東芝、SK海力士、美光等今年下半年加快3D NAND產能及技術轉換，良率持續提升，明年在產能開出後，供需將趨平衡。

至於DRAM今年第四季仍缺貨，南亞科(2408)預期明年第1季報價仍有撐。

不過，明年在龍頭廠三星可能將擴增產能下，對2018年DRAM供給面已投下變數。

由 中時電子報 轉載