三星第三代 V-NAND 量產，耗電量降 30%

英特爾（Intel Corp.）、美光（Micron Technology Inc.）於 7 月 29 日宣布開發出新世代記憶體技術「3D Xpoint」，讓三星電子（Samsung Electronics Co., Ltd.）警鐘大作，該公司 10 日發布新聞稿宣布，第三代 V-NAND 已正式量產。

三星指出，業界首見、以 48 層 3-bit MLC 堆疊的 256Gb 3DVertical NAND（V-NAND）已開始量產，可用於固態硬碟（SSD），這款快閃記憶體的密度是傳統 128Gb NAND 的一倍，除了單顆晶粒就具備 32 gigabytes （256 gigabits）的記憶體儲存容量外，最新晶片的儲存容量也可輕鬆到三星現有 SSD 產品線的一倍之多。

三星是在 2014 年 8 月推出第二代 V-NAND （32 層 3-bit MLC V-NAND），現在只花了短短一年後就發布第三代 V-NAND，持續在 3D 記憶體時代保持領先地位。

最新的 V-NAND 內，每一個記憶體單元都運用了同樣的 3D Charge Trap Flash （CTF）架構，在儲存相同的資料量之際，耗電量能比 32 層 3-bit MLC 128Gb V-NAND 節省逾 30%。在生產過程方面，第三代 V-NAND 的生產效率比前代高出 40%，可讓 SSD 更具成本競爭力。

三星在 2015 年結束前都計劃不斷生產第三代 V-NAND，以便讓 TB （兆位元）級的 SSD 加速普及。

英特爾、美光新世代記憶體技術「3D Xpoint」儲存的資料比 DRAM 高出十倍，讀寫速度與耐受度更是 NAND 型快閃記憶體的 1 千倍之多，如此革新的技術讓三星、SK Hynix 大為緊張。