新聞 : SK海力士在美申請存儲器專利數位居第一，Q4導入量產72層3D-NAND

集微網消息，據韓媒報道，韓國專利廳( KIPO )的統計結果顯示，2011——2015年，在美國申請的存儲器設計、製造、封裝技術專利總計有 5.8838 萬件，其中SK海力士以 2,594 件，三星電子以 2,566 件分居前兩名，兩者合計比例達8.8%。其次依次是東芝（ 2,289 件）、美光（ 2,120 件）、IBM（ 1,977 件）、威騰（ 1,289 件）、英特爾（ 1,008 件）。

韓國專利廳表示，韓國廠商搶先申請堆疊結構的 3D DRAM 與 3D NAND Flash 專利，因此帶動全球存儲器市場變化。

據悉，2011 年，上述 7 家廠商在美國申請的存儲器專利件數為 417 件，之後每年穩定成長，2015 年達到 4,151 件。主要原因在於隨著固態硬碟(SSD)逐步取代一般硬碟(HDD)，業界廠商開始集中在 NAND Flash 領域申請大量專利。

據集邦諮詢半導體研究中心( DRAMeXchange )最新報告指出，第三季受惠於傳統旺季效應、iPhone 8/X 新機以及中國品牌手機需求等主要動能帶領，第三季SK海力士營收達到 15 億美元，相較前一季成長高達 15.4%。觀察未來產能規劃，SK海力士繼續專註在 48/72 層 3D-NAND 產能的擴張當中，並在第四季將 72 層 3D-NAND 導入量產，成為 2018 年的成長主力。

SK海力士在美申請存儲器專利數位居第一，Q4導入量產72層3D-NAND

此外，三星在第三季得益於伺服器端及智能手機廠商發表新旗艦機，營收更較前季成長 19.5%，來到 56.2 億美元。從製程及產能分析，三星 64 層 NAND Flash 自第三季開始量產以來，已經開始應用在移動終端需求及 SSD 上，並將逐漸擴大應用產品，預期整體 3D-NAND 的投片比重在年底將突破 50%。

值得觀察的是，三星內部正在檢討 NAND Flash 持續擴張與DRAM產能分配的必要性，並考慮將部分平澤廠二樓的空間挪作生產 DRAM 用，這將可能使得 NAND Flash 未來更容易回歸到供不應求的市場狀況，有利於三星未來的市場策略。

由 中國新聞 轉載