合約價格持續下降，全球 DRAM 總產值第二季衰退 4.8%

TrendForce 旗下記憶體儲存事業處 DRAMeXchange 表示，DRAM 市場第二季受到合約均價大幅衰退約 10% 的影響，雖然位元產出量持續增長，總產值仍呈現 4.8% 的季衰退，來到 114 億美金。在淡季影響下，各 DRAM 廠營收都呈現衰退走勢，然而由於製程持續轉進，毛利並未大幅縮減，三星、SK 海力士與美光的 DRAM 產品別營業獲利比率分別為 48%、37% 與 21%，因此 DRAM 產業真正的考驗將會落在未來幾季。在需求端如筆電與智慧型手機領域持續疲弱，但供給端來自 20nm / 21nm 的比例將持續提升，DRAMeXchange 預期未來 DRAM 價格的跌幅恐怕持續。

DRAMeXchange 研究協理吳雅婷表示，三星與 SK 海力士在全球第二季 DRAM 廠自有品牌記憶體市佔比率各為 45.1% 以及 27.7%，穩定盤據全球超過七成的供給比率。美光半導體約為 20.6%，主要衰退除了來自於跌價損失外，位元供給未現增長也是原因之一。

從技術面觀察，三星的最新製程 20nm 表現令人驚豔，不僅導入順利、良率穩定，時程更是大幅領先其競爭對手約半年到一年，持續展現其領導廠商的製程優勢。目前三星的 20nm 較大幅度集中在標準型記憶體以及伺服器記憶體，但很快就會普及到所有的產品類別，在現今跌價的市場中持續帶來成本優化的優勢。SK 海力士最新製程 21nm 尚處於最初期的試產階段，已經遞延到第三季底才送交驗證的樣品，真正大量生產的時序會跟美光的 20nm 相當接近，落在明年的第一季。而美光集團方面，製程微縮與上季相較未顯突破，仍維持在 30nm，使得成本壓力相較於兩家韓商高出許多。

至於在台系廠商部分，南亞科目前在 30nm 微縮製程轉進速度順利，預計產出年末將來到 60%，營收方面小幅下滑 5.1%，20nm 製程預計明年下半年新工廠完工後導入量產行列。華亞科由於產品組合多以近期下跌幅度最劇烈的標準型記憶體與伺服器用記憶體為主，加上 30nm 製程落後於韓系廠商，毛利率從上季的 47.2% 大幅下修至第二季的 34.9%。力晶由於標準型記憶體生產多屬代工性質，營收較第一季維持一樣衰退，25nm 製程方面現已進入試產階段，如順利最快明年初可以導入量產。華邦雖無標準型記憶體產品產出，但大容量利基型記憶體市場也陷入殺價競爭的困境，營收衰退 8.5% 左右，獲利也小幅下滑至 11.2%。