新聞 : Intel 10 奈米製程將優先生產 3D NAND Flash

之前，晶片大廠英特爾 (Intel) 在中國舉行的「尖端製造大會」上，
正式向大家展示了藉由最新的 10 奈米製程技術所生產的晶圓，
並且表示由 10 奈米製程技術所生產的 Cannon Lake 處理器將會在 2017 年年底之前開始量產，
者使得完間都引頸期待。

只是，現在有消息透露，
首批進入到市場的 Intel 10 奈米製程技術產品，將不會是大家期待的 CPU，
而是目前市場價格高漲的 NAND Flash 快閃記憶體。

根據業界人士透露，
Intel 計劃在自家最新的 64 層 3D NAND Flash 快閃記憶體上使用最新的 10 奈米製程技術。

至於，為何在 3D NAND Flash 快閃記憶體上首先使用新製程技社，
很可能是因為 NAND Flash 快閃記憶體的結構相對簡單，基本上就是大量同類電晶體的堆積。
相較之下，CPU 處理器的架構就顯得複雜多了。
而就由使用新製程技術來生產，複雜性也是關係成功與否的重要風險之一，
而這也是 Intel 在 14 奈米製程、10 奈米製程上屢屢延後推出的一項主要因素。

而依照 Intel 的說法，10 奈米製程技術使用了 
FinFET (鰭式場效應電晶體)、Hyper Scaling (超縮微) 技術，
可將電晶體密度提升 2.7 倍，結果自然可以大大縮小晶片面積，
對 NAND Flash 快閃記憶體的設計來說，當然就能極大地提升容量。

不過，目前還不清楚 Intel 的 10 奈米製程 NAND Flash 快閃記憶體的具體生產情況為何，
但是可以確認的是，未來該批產品將會首先運用於資料中心的市場，
等成本下降之後，再推廣到消費等級市場領域。

由 財經新報 轉載