新聞 : 格羅方德推出 12nm 半導體製程，中國成都新廠也將於 2018 年底投產

晶圓代工大廠格羅方德 （GLOBALFOUNDRIES） 於 22 日宣佈推出全新 
12nm Leading-Performance (12LP) FinFET 半導體製程之計畫。

格羅方德表示，此技術將可望超越格羅方德現行 14nm FinFET 技術的產品，
提供密度及效能上提升，進而滿足運算密集型的應用，
例如包括人工智慧、虛擬實境、高階智慧型手機以及網路基礎架構等的處理需求。

格羅方德指出，相較於現今市場上的 16nm 和 14nm FinFET 製程解決方案，
全新 12LP 技術可提供高達 15% 的電路密度提升，以及超過 10% 的效能強化，
這將賦予 12LP 技術與其他 12nm FinFET 技術全面競爭的優勢，
而此技術將運用於格羅方德位在美國紐約薩拉托加郡晶圓 8 廠的生產中。

而除了電晶體方面的效能提升，
12LP 平臺還將包含專為車用電子設備和射頻及類比應用 (RF/analog application) 所設計，
並以市場為導向的新功能。而車載電子設備和射頻及類比應用，預計將是產業中成長最快速的兩個領域。
因此，12LP 平臺將會為市場帶來新的發展領域。

此外，格羅方德預計斥資總金額超過 100 億美元，
在中國成都高新區西部園區的格羅方德 Fab11 晶圓代工廠，預計將在 10 月份舉行封頂作業。
並且預計在 2018 年年底前，進行第一期的投產。

據瞭解，目前已經有數家的中國廠商開始與格羅方德合作，開始規劃 22nm FD-SOI 製程的的產品設計工作。

按照規劃，累計投資達百億美金的格羅方德 Fab11 晶圓廠，誒計將分為兩期建設。
第一期為主流 CMOS 製程 12 吋晶圓生產線，預計 2018 年年底投產。
第二期為格羅方德最新的 22FDX，22nm FD-SOI 製程 12 吋晶圓生產線，預計 2019 年第 4 季投產。

據了解，格羅方德的 22FDX 製程採用 22nm FD-SOI (全耗盡絕緣矽) 電晶體架構,
為無線的、使用電池供電的智慧系統提供業界最佳的性能、功耗和面積組合。

未來，格羅方德在成都高新區打造的全球首條 22nm FD-SOI 12 吋晶圓生產線，
產品將廣泛應用於行動終端、物聯網、智慧設備、汽車電子等領域。

由 財經新報 轉載