新聞 : 中國拼記憶體 苦吞敗 - 合肥睿力DRAM良率掛零 長江存儲NAND遇瓶頸

繼面板產業之後，DRAM也在中國政府積極扶植之下，全力發展自主記憶體，並大舉向台灣同業挖角，其中，最為低調的合肥睿力的第1期廠房即將於11月完工，但市場傳出，合肥睿力內部實驗室生產的DRAM良率掛零，恐影響後續試產；另外，也傳出主攻3D NAND Flash的長江存儲在32、64堆疊技術也無法突破瓶頸而失敗。

中國發展DRAM（Dynamic Random Access Memory，動態隨機存取記憶體）在缺乏技術授權之下，自主開發之路坎坷；據了解，相關廠商投入技術開發的良率不如預期，內部實驗室的測試都宣告慘敗。 

福建晉華與聯電合作
福建晉華則擁有聯電（2303）的DRAM技術合作，但礙於現在有美光訴訟案的干擾，進度稍微落後，不過聯電高層跳出來澄清強調，尊重智慧財產權，不會偷技術，將於明年第4季完成第1階段技術開發。
以華邦電（2344）為例，董事長焦佑鈞曾說，自主開發DRAM技術超過3年的時間，2016年終於成功開發出3X奈米，也是國內首家擁有自主開發奈米技術製程的記憶體廠商，明年將進一步往2X奈米邁進。
業界人士透露，要做DRAM，不是只有廠房、機器設備以及挖人就好了，技術是最重要的關鍵，技術開發成功後，還要獲得客戶的認證通過。中國發展DRAM不是想像中這麼容易，以未來2~3年的時間來看，中國發展記憶體所帶來的威脅性將大為降低。
微驅科技總經理吳金榮指出，合肥睿力以DRAM為主力產品，預計今年底移入機台，力拼2018年2月產出第1批產品，月產能為12.5萬片，傳出睿力將直接切入19奈米製程，這是十分大膽的嘗試，對來自五湖四海的各路好漢組成的新公司，貿然投入先進製程生產，成功率恐怕不高。 

中國業者威脅性降低
在NAND Flash（儲存型快閃記憶體）的部分，以紫光集團旗下的長江存儲最為積極，納入的武漢新芯第1期廠房日前已完工，預計將於2018年投入使用。不過，據業界人士指出，長江存儲內部研發良率不理想，仍有技術瓶頸無法突破，量產可能無法如預期快。
拓墣研究中心經理林建宏表示，晶圓廠興建完成後投片量產，包括技術、良率都是量產的關鍵，但最重要的還是要有客戶的訂單。全球記憶體產業還不會受到中國的威脅，而且以DRAM來說，除了製造技術難度高之外，目前市場已呈現寡占局面，既有業者擴產小心翼翼，業者維持獲利、價格持穩的好光景還可以將延續下去。 

由 蘋果日報 轉載