新聞 : 三星擴增中國NAND Flash產能！豪砸70億美元增設產線

全球NAND型快閃記憶體(Flash Memory)龍頭廠三星電子7月4日曾表明計畫對中國NAND Flash工廠進行增產投資，但投資額未定。而三星中國NAND Flash投資額揭曉，要豪砸70億美元在中國增設新產線。

韓聯社報導，三星28日宣布，為了因應中長期NAND Flash需求增加，將對中國NAND Flash工廠進行大規模投資，計劃在今後3年砸下70億美元(約7,642億日圓)進行增產投資。

韓聯社指出，三星上述位於中國西安的NAND Flsah工廠於2014年完工，目前產能利用率達100%，而三星計畫在該座工廠增設新產線，以藉此因應中國這塊全球最大NAND Flsah市場的需求。

三星於7月4日宣布，至2021年為止，要對位於平澤市的NAND型快閃記憶體廠房投入14.4兆韓圜，並對華城市新建的半導體生產線投入6兆韓圜，且位於中國西安的NAND生產基地也會多蓋一條生產線，但投資金額和時間表還未定。

根據嘉實XQ全球贏家系統報價，三星28日重挫1.96%，收2,305,000韓圜，連續第2個交易日走跌，創2週來(8月14日以來)收盤新低水準。

IC Insights 7月18日新聞稿稱，記憶體以往市況顯示，過度投資常會造成產能過剩、削弱價格。未來幾年三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝/SanDisk、武漢新芯(XMC)/長江存儲(Yangtze River Storage)都大舉提高3D NAND flash產能，未來可能還有中國新業者加入戰場，3D NAND flash產能過多的可能性「非常高」(very high)。

東芝8月3日宣布，關於目前已在四日市工廠廠區內興建的3D NAND專用廠房「第6廠房」投資案，因記憶體需求擴大，故投資金額將從原先規劃的1,800億日圓加碼至約1,950億日圓。東芝指出，計畫在2018年度將3D架構產品的產量比重提高至約90%。

東芝上述投資額除將用於導入「第6廠房」第1期工程所需的生產設備之外，也將用於第2期工程的廠房興建。「第6廠房」第1期工程預計於2018年夏天完工，第2期工程廠房預計於2017年9月動工、2018年年末完工。關於具體的產能、生產計劃，將於今後視市場動向決定。

日刊工業新聞8月7日報導，為了提高3D架構的NAND Flash產能、以因應三星電子等競爭對手加快擴產腳步，東芝將進一步祭出增產投資，計畫在日本岩手縣北上市興建新工廠，該座新廠預計於2018年度動工、2021年度啟用，總投資額將達1兆日圓的規模。東芝目前已在四日市工廠廠區內興建3D NAND專用廠房「第6廠房」。

該座3D NAND新工廠興建計畫由東芝半導體事業子公司「東芝記憶體(Toshiba Memory Corporation、以下簡稱TMC)」負責策畫，而東芝是在說明上述新廠興建計畫後才進行TMC的招標作業，因此即便之後TMC易主、預估新廠興建計畫仍將持續。

由 MoneyDJ新聞 轉載