新聞 : 海力士擴產 DRAM漲勢恐喊卡

南韓記憶體大廠SK海力士（SK Hynix）宣布今年資本支出追加至86.1億美元，進行3D NAND Flash和DRAM兩大記憶體擴產，讓3D NAND型記憶戰火提前引爆。市場正密切注意三星和美光的動作，擔心DRAM漲勢將提前畫下句點。

南韓記憶體大廠率先提早資本支出的行動，為兩大記憶體一片缺貨聲中，投下震撼彈。根據南韓媒體報導，SK海力士追加今年資本支出至9.6兆韓元（約86.1億美元），比年初宣布的數字增加37%，比去年的資本支出增逾五成%。

SK海力士上修資本支出，想讓新廠提前完工。SK海力士無錫廠主要以生產DRAM為主；另在南韓清州廠主要生產3D NAND Flash。這兩項新建投資原定完工時間是2019年上半年，如今將提早至明年第4季，比預定時間提早半年。

雖然SK海力士強調這是投資只要用於技術升級，即使新廠落成，也不會造成整體記憶體暴增，估計DRAM和NAND Flash產能只會增加3~5%，不會造成記憶體供過於求。

不過，SK海力士這項擴大投資，已引起法人圈擔心記憶體烏雲將提前飄至。稍早已有美系外資下修美光營運展望，導致美光股價自32.95美元高檔，連續五個交易日呈現下跌，上周五（28日）跌破30美元支撐，以29.28美元作收，跌幅3.2%，波段跌幅逾11%。

市調機構IC Insights稍早更憂心忡忡認為，未來幾年包括三星電子、SK海力士、美光、英特爾、東芝、威騰、武漢新芯、長江存儲，都大舉提高3D NAND Flash產能，中國大陸還有新業者也會加入戰場，3D NAND Flash產能供過於求的可能性相當高。

轉載自：https://money.udn.com/money/story/5710/2613616