新聞 : SK 海力士 2017 年將擴大投資，期望繼續掌握市場競爭優勢

根據南韓媒體 《每日經濟》 的報導指出，面對當前記憶體市場不論 DRAM，或是 NAND Flash 快閃記憶體供不應求的情況，南韓記憶體大廠 SK 海力士預計將在 2017 年下半年開始，提高 1x 奈米生產製程的 DRAM 生產比例。另外，還將持續增加 14 奈米製程的 NAND Flash 產量。目的在於以更具優勢的成本競爭力，達到獲利提升的目的。

報導中進一步表示，在當前行動通訊設備對 DRAM 及 NAND Flash 產品的容量持續增加，並且受惠於大數據的應用普及、人工智慧與機器學習的快速發展，也使得雲端資料中心的伺服器需求增加，帶動 DRAM、固態硬碟（SSD）需求提升的情況下，市場上對於記憶體的需求自 2016 年中以來熱度持續不減，造成供應量的不足，並導致價格的上揚。

有鑑於市場上的需求，各家記憶體大廠紛紛提供投資金額，擴大產能，以爭取市場商機。其中，SK 海力士在 2016 年的總投資規模達到 6.29 兆韓圜 （約新台幣 1,709 億元），而 2017 年投資金額預估更加達到 7 兆韓圜 （約新台幣 1,902 億元），並且計畫在 2019 年 6 月底前，投資 2.2 兆韓圜 （約新台幣 598 億元）用於南韓清州興建 NAND Flash 快閃記憶體工廠。

另外，在產品的研發上，2016 年 SK 海力士總計斥資了占營收 12.2%，金額達到 2.1 兆韓圜 （約新台幣 571 億元）的研究經費。其成果，除了在 2017 年 1 月推出全球最高容量的超低功耗行動裝置 DRAM – LPDDR4X 之外，也在 4 月份推出可作為人工智慧、虛擬實境、自動駕駛、以及 4K 以上高畫質顯示器用記憶體的超高速繪圖 DRAM – Graphics DDR6。

至於，在 NAND Flash 快閃記憶體的產品上，2017 年 SK 海力士成功開發出 72 層堆疊，比上一代 48 層堆疊晶片運作速度提升 2 倍，讀寫性能也拉升 20% 的 3D NAND Flash 之後，已經在 7 月份開始進行量產。據了解，72 層堆疊比上一代 48 層堆疊的 NAND Flash 快閃記憶體生產效能提高 30%。而針對市場上對 SSD 硬碟的需求，SK 海力士也推出搭載自主研發控制器的移動裝置用 eMMC 產品，以及 PCI 介面 SSD 固態硬碟，提昇 SK 海力士在 3D NAND Flash 快閃記憶體產品上的競爭力。

轉載自 http://www.wealth.com.tw/article_in.aspx?nid=11552