新聞 : AI記憶體商機可期，傳三星擬大幅增產3D DRAM

專為高效能AI（人工智能）處理器與伺服器打造的3D堆疊DRAM，傳三星計畫增產三十倍。
3D DRAM採用矽穿孔（Through Silicon Via）技術，可將DRAM晶片垂直堆疊，由於進出通道加寬，傳輸速度也
大幅加快。韓國媒體ETnews引述產業消息報導指出，三星最近向設備供應商訂購新型20台熱壓接合封裝機（TCB），
這是矽穿孔技術的必要設備，且按理來說，新機具產出是原有機台的八倍。新TCB機台今年底可就定位，預估屆時
三星矽穿孔製程產能將可增加三十倍之多。英特爾與Nvidia現均朝AI積極發展，也都是三星潛在客戶群。除此之外，
日前有消息指出蘋果正在開發AI專屬晶片，將用以處理臉部與語音辨識等工作，可應用於iPhone與iPad等裝置，
三星顯然已嗅到這股AI記憶體的新商機就在不遠處。

由 MoneyDJ新聞 轉載