新聞 : 力晶：缺新產能　未來幾年DRAM持續缺貨

力晶執行長黃崇仁今日指出，
由於過去5年全球都沒有興建新的DRAM廠，且邁進20奈米以下新製程成本太高，
加上未來伺服器、物聯網、汽車的應用大幅成長，未來幾年DRAM可能變成持續性缺貨。

至於中國想發展DRAM產業，他表示，
中國全新設備沒法跟折舊完的設備競爭，且技術恐卡到美光專利，發展會遇到瓶頸，
導致記憶體市場崩盤的猜測，「不可能發生」。

黃崇仁指出，過去5年包含台灣與南韓，DRAM產業並沒有新廠興建，廠商都靠微縮製程來增加產能，
但製程體製程邁入20奈米以下，到17/18、15奈米世代，製程開發及設備的成本都太高，
成本反而比20奈米的製程還貴，廠商必須增加低功耗、高速度等功能，否則不符成長效益。

至於在應用端，PC應用比重已經降到20%，且PC廠遇到DRAM價格過高時，往往會降低搭載容量，需求不再成長，
而通訊的應用大幅成長，高階手機搭載量已經往6GB走，會持續排擠到PC用記憶體。

至於新應用，伺服器的應用隨全球資料中心建置趨勢持續成長，
未來進入5G通訊時代後，資訊流向更大，需求成長幅度也更大，
包括暫存用的DRAM、儲存用的NAND Flash都會快速成長。

中國官方近期積極扶植半導體業，但當地記憶體廠採用的技術卡到美光專利，發展也遇到瓶頸，
尤其是記憶體廠發展到 20 奈米之後，廠商必須投入更多成本，
包含建置設備與技術，整體建置成本反而比 20 奈米以上的製程還貴，因此 DRAM 產業一定會持續供給不足。

而因應物聯網未來的需求，元件廠要求更輕薄化，
不少處理器廠利用 SiP （系統級封裝）將CPU/AP等與記憶體晶片堆疊一起，甚至是做成一個模組；
也有日系感測元件廠把感測器與DRAM包在一起，物聯網裝置未來高達百億個，數量將相當驚人，
也將支撐整體記憶體市場持續成長。

另外，汽車逐漸電子化，汽車應用對DRAM需求也愈來愈大，也是成長很可觀的市場。
至於中國積極發展記憶體產業，黃崇仁表示，台灣記憶體廠設備多已折舊完畢，生產上極具競爭力，
即時中國有錢又有政府支持，但全新設備建置成本高昂，競爭力絕對不如台廠。

另外，中國DRAM廠這波瘋狂挖角，已經有卡到美光專利的疑慮，
美光及美國政府大動作的反制，中國發展會遇到專利瓶頸。
外界憂心，若中國記憶體產業崛起，恐導致記憶體市場崩盤，他直言：「不可能發生」。

由 蘋果即時 轉載