新聞 : 美光反制中國廠商人才挖角動作，未來一年將會越演越烈

針對平面媒體報導，由於中國政府已將全力發展記憶體產業列為產業目標。
因此，在包括紫光集團、合肥長鑫及福建晉華都相繼提出發展計畫的情況之下，並且對外挖角行動再擴大。

所以，為防止相關人員進一步被中國廠商挖角跳槽，
DRAM 大廠美光（Mircon）日前開始積極反擊中國廠商的挖角，就在上月配合檢調動作，
針對前華亞科及前瑞晶的關鍵製程研發人員跳槽至對岸，
或協助大陸廠進行 DRAM 研發進行大規模展開搜索，
並限制相關人員出境，估計有上百人遭到約談及搜索。

根據《經濟日報》的報導，有消息人士指出，
美光這波透過司法途徑的反制，是針對從美光購併華亞科後的員工，以及前瑞晶員工展開搜索調查行動。

預料應是已掌握相關人員竊取營業和技術資料，之後跳槽至中國公司，
或是掌握協助中國廠商進行 DRAM 研發的證據，進而展開大規模搜索，
並限制相關人員出境，估計有上百人遭到約談及搜索。

其中，檢調搜索的相關人員主要以前華亞科員工為主。
據瞭解，在 2016 年美光提出購併華亞科的全數股權後，
已經有近兩百名華亞科的員工跳槽至中國合肥長鑫、紫光集團和福建晉華等公司。
因為，上列的中國廠商為了發展 DRAM 技術，祭出比台灣高 2 至 3 倍的薪資，全力挖角，
也造成台灣大量 DRAM 人才向中國靠攏。

據瞭解，目前三大 DRAM 廠，包括南韓三星、SK 海力士（SK Hynix）及美商美光等，
近期不約而同陸續寄出存證信函給跳槽到中國合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，
全力防堵 DRAM 技術流入中國，讓全力發展自主 DRAM 研發的中國在此領域上受挫。
而這些動作也使得近期有意跳槽到中國廠商的的前華亞科核心技術人員，
面臨在機場就受到限制，無法出境的現象，遭受到不小的恫嚇。

市場人士透漏，三大 DRAM 廠全力防堵防止中國借挖角台灣人才以剽竊技術的做法，
就是不樂見 DRAM 產業在三大廠寡佔市場局面，未來會被中國的積極搶進而打破。
因此，三大廠採取法律制約員工跳槽的行動，如果能有效遏止 DRAM 人才流向中國的現象，
這也將使得當前已經供不應求的 DRAM 供貨缺口更形過大，2018 年可能持續當前的漲價局面。

而就目前中國廠商的動作來說，中國半導體的兩大體系，
包括紫光和合肥長鑫是來台挖角最為積極的廠商，而且重點鎖定前華亞科製程相關人才，
其中，由合肥市政府主導的記憶體研發團隊合肥長鑫，就已開出 3 倍高薪和紫光集團的雙倍薪較勁。

而且，傳言前華亞科人資主管跳槽合肥長鑫，掌控人資大計，
對前華亞科員工挖角就更是所不用其極，也成為近期對台灣 DRAM 產業挖角的大戶。

只是，紫光集團已透過管理澄清，目前挖角前華亞科的員工多數是屬於建廠相關事務人員，
紫光集團決定朝自主研發 DRAM、儲存型快閃記憶體（NAND Flash）等，
目前重心先投入 3D NAND Flash 研發。

不過，面對中國廠商高薪挖角的行動，讓日前才正式併入美光的華亞科，
以及台塑集團旗下的南亞科，將因如何留才而傷透腦筋。

目前，中國合肥長鑫和紫光都採取先發展 NAND Flash，後自主研發 DRAM 為輔的策略。
其中，紫光集團仍以積極爭取國外大廠技術授權為主要方針，
以可確定製程技術與國際同步而確保獲利。

至於，合肥長鑫目標則希望先爭取包括 NOR Flash、NAND Flash 和 DRAM 等記憶體的自主技術，
進而超越紫光，成為中國主導記憶體產業的廠商。

另外，還有與聯電合作，由前瑞晶總經理陳正坤帶領的團隊，
投入協助福建晉華興建利基型 DRAM 代工廠的計畫來看，2017 年將會是中國需求 DRAM 人才積極一年。

由於，中陸衝刺半導體產業，企圖建立記憶體和邏輯晶片自主技術為目標，
使得全球主要三大 DRAM 廠全力防堵技術流向中國廠商外，挖角行動也伸向台灣廠商招手，
這使得台灣廠商未來也不得不提高警覺。

由 財經新報 轉載