新聞 : 外資恐懼成真？傳三星DRAM大擴產、記憶體好日子無多？

之前外資曾警告，DRAM榮景能否持續，取決於記憶體龍頭三星電子，要是三星擴產，好景恐怕無法持續。
如今三星眼看DRAM利潤誘人，傳出決定擴產，新產線預計兩年後完工。

BusinessKorea 15日報導，
三星電子決定砸下10兆韓圜(87億美元)，擴充南韓華城廠(Hwaseong)的DRAM產能。
三星人員表示，新產線約需兩年時間建造，將視研發進度和製程轉換良率，
決定生產18奈米製程DRAM，或更先進製程的DRAM。

半導體市場變化快速，新廠生產商品常到落成時才拍板定案。
以華城廠17號線為例，此一產線原本預定製造系統半導體，但是後來改用於生產記憶體。
三星也在南韓平澤廠(Pyeongtaek)竣工後，才決定平澤廠六月啟用時，將生產NAND Flash。

三星電子代表說，三星DRAM的毛利率超過45%，儘管三星產品售價高，
但是由於品質出眾，優於競爭對手，在市場供不應求。
三星是記憶體霸主，去年在全球DRAM市佔高達48%。

15日三星電子上揚0.10%收在2,070,000韓圜。
受到三星擴產消息衝擊，記憶體大廠SK海力士跳空重挫2.98%收在48,800韓圜。

巴倫(Barronˋs)2016年9月23日報導，
記憶體市場還能熱多久？Bernstein Research的Mark Newman說，一切要看三星。

Bernstein報告稱，要是DRAM獲利提高到誘人地步，三星可能會增產，一如該公司在2014、2015年所做。
他們估計，三星DRAM毛利將拉高至58~59%的高點，類似2014/15年，
屆時三星應會在17號產線或新落成的平澤廠等閒置廠房增加產能，
如此一來，市場將從供不應求，轉為平衡，甚至在2017年中或年末時，演變為供給過剩。

報告指出，未來幾個月，DRAM類股仍會有好表現。
不過供給緊俏、三星有巨大成本優勢，又有閒置廠房可提升產能，
預期三星可能會增加3D NAND和DRAM產出。

另一外資也警告，廠商砸錢增產，DRAM和NAND Flash的毛利率可能會在2017年年中觸頂。

巴倫(Barronˋs)今年2月7日報導，Susquehanna Financial Group的Mehdi Hosseini表示，
記憶體業者的資本開支超過50億美元，是毛利觸頂的預兆，
2013年第4季和2015年Q1/Q3都是如此(圖表見此)。
該行估計，2017年Q1、Q2記憶體業的資本開支都高於50億美元門檻；
由此看來，2017年毛利率可能會在年中或年末觸頂。

Hosseini警告，蘋果採購完iPhone 8所需的記憶體之後，相關需求可能驟減。
報告稱，今年下半NAND供給將轉為寬鬆，主因48層NAND製程加速轉往64層，
而且三星平澤(Pyeongtaek)廠也啟用。
與此同時，Kingstom等模組廠的庫存增加至6~8週水位，
打算趁著蘋果iPhone 8下單NAND時，推升實際銷售。

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由 MoneyDJ理財網 轉載