新聞 : 看好 2017 年半導體產業趨勢，三星投入半導體設備資金將提升 11%

2016 年因為旗艦型手機 Galaxy Note 7 搞出全面召回，
進而停產的事件，讓南韓科技大廠三星原本陷入虧損數十億美元的情況。

所幸，在半導體市場大好的浪頭上，讓三星不但逃過虧損危機，甚至還呈現大舉獲利的局面。
因此，三星為乘勝追擊，決定在半導體事業上增加投資力道。

根據市場調查機構的報告指出，
三星 2017 年在半導體領域設備上的投資金額將比 2016 年成長 11%，達到 125 億美元的規模，
而 2016 年的設備投資金額為 113 億美元。

報告指出，2017 年三星的投資項目，記憶體和系統 LSI 的投資比重為 8：2 左右。

目前，三星正在南韓京畿道平澤市附近，興建世界最大規模的半導體生產線，
預計在 2017 年中完工後，投入 V nand Flash 記憶體的量產。

業界認為，隨著物聯網市場的擴大和高階數位設備的陸續問世，記憶體的需求將大幅增加。
因此，三星也對半導體市場的未來發展看好，擴大了投資的規模。

另外，南韓的另一家半導體大廠 SK 海力士，2017 年將在設被上投資 60 億美元。
這筆金額是全球第四大規模的投資，相較 2016 年的 51.8 億美元，增加約 14%。

市場分析認為，繼 2016年 下半年開始，包括 DRAM 與 Flash 市場恢復成長的態勢之後，
該公司就積極投入 3D Nand Flash 記憶體的市場，並將將繼續擴大投資規模。
預計，2017 年 SK 海力士首先在京畿道利川的下一代 DRAM M14 生產線中，
建立無塵室相關的基礎設施上投入資金。

至於，半導體龍頭的英特爾 (intel)，
2017 年則將在設備投資方面投入比 2016 年成長 25% 的金額，來到 120 億美元。
英特爾 2016 年在設備上的投資金額也比 2015 年成長 31%。

事實上，英特爾從 2016 年開始，實施了高強度的體質改善工程，並專注於伺服器領域的相關產品開發。
英特爾 2016 年總計在半導體研發部門投入了 127.5 億美元的資金，
規模是三星的四倍還要多，成為全球半導體產業投資金額的龍頭。

由 財經新報 轉載