新聞 : 美光新製程不順 DRAM看漲

記憶體今年市況大好，DRAM（動態隨機存取記憶體）價格強勁上漲20~30%，供給面更是屢傳不順消息，三星日前召回
18奈米新製程產品，美光也傳量產不順，良率不及50%，恐讓供不應求的情況雪上加霜。市場更預料，第2季DRAM報價
有機會再漲10%。至於NAND Flash（儲存型快閃記憶體）以TLC（3層儲存單元）顆粒缺貨最嚴重，不過業者多預料，
下半年供貨吃緊情況將會好轉。
 
三星18奈米出問題

三星18奈米新製程先前出現問題，召回該製程生產的PC DRAM，引發市場恐慌積極追趕三星的美光也傳出1x奈米良率
偏低，不及50%，DRAM缺貨會更嚴重，價格也將漲不停。美光台中廠（原瑞晶）今年從25奈米轉進1X奈米，依照過去
DRAM廠商導入新製程的速度來看，初期量產過程遇到瓶頸難免，練兵時間至少超過2季，良率才會顯著拉升。
美光台中廠營運長徐國晉先前即表示，1x奈米製程正處於試產階段，下半年可望正式交貨給客戶，並逐步放量，
良率表現符合預期。另外，桃園廠（原華亞科）今年則以提升20奈米產出為主要目標。
全球DRAM主要供應商剩下三星、SK海力士、美光，其中三星、SK海力士分別拿下47.5%、26.7%的市佔率，美光則擁有
19.4%市佔率，至於南亞科（2408）、華邦電（2344）的產出規模相對較小，也由於供應商有限，且今年多以轉換製程
為主，不再進行新的擴充計劃，因此研究機構即預估，今年DRAM供給位元成長率僅19%，低於過去的20~30%。 

南亞科華邦轉換製程

今年包括伺服器、行動式、標準型記憶體都將缺貨一整年，雖然前3大廠今年都將導入18奈米製程，不過今年對於產出
的貢獻有限，當然也就沒有辦法緩解缺貨的情況。
不過，相較於NAND Flash，業者則多認為下半年就有機會舒緩，供需情況可望達到平衡，因為NAND Flash大廠轉進
3D NAND的時間至少長達1年之久，良率以及量產情況逐漸獲得成效，預料今年下半年將是主要關鍵，可望為市場
帶來更多的供給量。
研究機構IC Insights指出，記憶體價格漲不停，其中DRAM價格漲勢明顯，是因為供需有明顯落差，以容量估算，
今年總需求預估將成長30%，但供應商產能預估僅成長20%，尤其供應商相繼導入20奈米之後的製程微縮速度將會
放緩，因此短期來看，供給成長仍有限。另外，隨著DRAM、NAND Flash大漲激勵，IC Insights大舉上修今年全球
IC晶片產值成長幅度，從原本的5%翻倍至11%，預估今年DRAM銷售額有望跳增39%，NAND Flash有望成長25%，隨著
報價走揚，未來兩者都還有進一步上修的可能。 

由 蘋果日報 轉載