新聞 : 迎戰 7 奈米，英特爾、台積電等巨頭們是這樣做的

半導體研究機構 ICinsights 於 2017 年 3 月 3 日公告中指出，2017 年有 11 家半導體廠
資本支出預算超過 10 億美元，佔全球半導體產業總合的 78%。而 2013 年，全球僅有 8 家
半導體廠資本支出預算超過 10 億美元水平。前十大廠有兩家今年資本支出成長在兩成以上，
分別是英特爾的 25% 與格邏方德的 33%。

英特爾的做法

為了進一步發展生產製程，英特爾將在 2017 年建立一座 7 奈米製程的實驗工廠。該實驗工廠將會
測試 7 奈米晶片生產製程。不過，雖然英特爾並未提及會在何時開始這種製程晶片的量產，外界認為
至少在未來 2 到 3 年內不會實現。英特爾表示，7 奈米製程將為晶片帶來更大的設計變化，
使其體積變得更小，也更為節能。英特爾計劃使用奇特的 III-V 材料（比如氮化鎵）來進行晶片生產，
在提高性能速度的同時也達到更長續航能力。同時，他們將會在生產中引入極紫外線（EUV）工具，
來協助進行更精細的功能蝕刻過程。按照英特爾原來的「製程、架構、優化」等三步驟規劃，7 奈米製程
的處理器原本最快應在2020 年出樣、2021 年發貨。事實上，根據業內推測，這些 7 奈米的處理器
不太可能在 6 到 7 年內問世。

格羅方德的做法

格羅方德去年因產能閒置，資本支出大減 62%。格羅方德已決定跳過 10 奈米，直接挑戰 7 奈米製程，
預料今年多數資本支出將用於採購新設備與技術研發。此外，格羅方德在發展 7 奈米的同時把注意力
放到實際應用上：22 奈米 FD-SOI（全耗盡型絕緣層覆矽）製程生產線，產品將能廣泛運用於行動裝置、
物聯網、汽車電子等領域。
在物聯網浪潮下，FD-SOI 技術也日漸受到重視。與 FinFET 相比，FD-SOI 基板雖然較貴，但在掩模數量
與製程比 FinFET 要少一些，降低部分光罩成本也縮減了製造時間，在技術上比 FinFET 更適合類比／
混合訊號以及 RF，FD-SOI 還具備了低功耗的優勢，因此，不少人認為 FD-SOI 將是物聯網較佳選擇，
或能與 FinFET 互補。該企業 2015 年推出 22 奈米 FD-SOI 平台後，去年 9 月進一步發表新 12 奈米 
FD-SOI 技術。新一代 12 奈米 FD-SOI 產品，估計 2018 年底將於德國 Dresden Fab 1 投產，
2019 年將 22 奈米 FD-SOI 生產重心轉移至成都新廠。

台積電和三星的做法

在 2017 年 ISSCC（International Solid-State Circuits Conference，國際固態電路研討會）上，
台積電 5 篇論文獲選（美國台積電 1 篇），2 篇論文為類比電路領域，記憶體電路設計則有 3 篇。
業界認為，台積電將領先業界在大會上發表 7 奈米 FinFET 技術。揭示迄今最小位元數 SRAM 在 7 奈米 
FinFET 的應用，驗證 0.027μm2 256 Mbit SRAM 測試晶片在 7 奈米製程下，能大幅提升手機、
平板電腦中央處理晶片運算速度，同時滿足低功率需求。
台積電、三星通常以 SRAM、DRAM 來練兵，先從記憶體下手，當良品率提升到一定程度再導入邏輯產品。
台積電先前預估 10 奈米年底量產、7 奈米最快 2018 年第一季生產。
三星在 10 月初搶先台積電宣布 10 奈米量產，市場近期傳出台積電 7 奈米最快在明年 2017 就可試產，
4 月接單。三星在 7 奈米就引進極紫外光微影設備，並預計 2017 年年底 7 奈米量產。

由 科技新報  轉載