新聞 : WD 宣布推出業界首款 512Gb，64 層堆疊 3D NAND 快閃記憶體

快閃記憶體及儲存設備大廠 Western Digital 於 22 日宣布，已在該公司的日本四日市工廠開始試產容量 512Gb、
採用 TLC 技術的 64 層 3D NAND (BICS3) 的快閃記憶體晶片，並且預計於 2017 下半年開始進行量產。
這款全球首創的快閃記憶體晶片，是 Western Digital 在快閃記憶體產業近 30 年以來，諸多創舉中的最新力作。
根據 Western Digital 記憶體技術執行副總裁 Siva Sivaram 表示，推出業界首款容量 512Gb、64 層 3D NAND 
的快閃記憶晶片，是 Western Digital 在 3D NAND 技術的一大進展。其儲存密度與 2016 年 7 月推出的 64 層
架構的快閃記憶體晶片相比增加一倍之多。這使 Western Digital 快速拓展的 3D NAND 技術產品組合更加完整。
並且能夠持續滿足客戶因應零售、行動與資料中心應用日益增長的儲存需求。

這款全新的 512Gb，64 層快閃記憶體晶片，是由 Western Digital 與其技術及製造合作夥伴東芝 (Toshiba) 所聯合開發。
Western Digital 在 2016 年 7 月發布全球首創 64 層 3D NAND 技術，並於 2015 年開發出 48 層 3D NAND 技術，
兩種技術產品目前持續向零售及 OEM 顧客出貨。事實上，面對合作夥伴東芝因為虧損而必須要拆分半導體事業，
並可能出售大部分半導體業務股權的情況。由於，Western Digital 旗下的 Sandisk 與東芝有多年的合作關係，
使得 Western Digital 成為在 2015 年宣布收購了 SanDisk 之後，成為當前的檯面上最有可能出線收購東芝半導體股權的公司。
當前，雖然東芝也有自己的通路販售所生產的快閃記憶體。但是，根據與 Western Digital 的合作關係，
東芝所生產的快閃記憶體有高達 45% 的比率必須要提供給 Western Digital 旗下的 Sandisk 使用。而調查數據顯示，
就全球 NAND 快閃記憶體市場來說，三星以市佔率為 32.6% 搶下龍頭寶座位置，東芝以 21% 排名第二位，
SanDisk、美光以 15.4% 與 14.8% 分居三、四名。而 SK 海力士僅以 11.9% 吊車尾擠進前五強。
再加上當前 Western Digital 又領先業界推出首款容量 512Gb、64 層 3D NAND 快閃記憶體晶片。
未來一旦 Western Digital 真的搶下東芝半導體的多數股權，則很可能將為其他廠商帶來更多的壓力。

由 科技新報  轉載