拚年底量產 3D NAND，SK 海力士擬大買設備

記憶體大廠整軍經武，準備展開新一波大戰！據傳三星電子和 SK 海力士（SK Hynix）將大買設備，積極投資 3D NAND Flash；另外 DRAM 也將轉進新製程，拉高戰力。

韓媒 etnews 6 日報導，記憶體大廠爭相量產 3D NAND Flash，新製程和傳統 NAND Flash 相比，差別在於從平面改為立體，能層層堆疊，提高效能。據了解，由 2D 轉進 3D NAND Flash，顯影製程不變，但是金屬化和刻蝕步驟將分別增加 50~60%、30~40%，需要採購不少新設備。據了解，三星最早量產 3D NAND Flash，目前正在擴充西安 3D NAND Flash 廠產線，盼將堆疊層數從 32 層提高到 48 層。與此同時，SK 海力士也增加投資，預定今年下半量產 3D NAND Flash，將打造 36 層的 3D NAND Flash 產線。

DRAM 方面，今年下半，三星擬把 20 奈米 DRAM 製程比重提高到 20%，SK 海力士則要將 25 奈米 DRAM 製程比重提高至 60%。為了轉進新製程，兩家公司都將大肆採購。