新聞 : 300 億美元投資案展開！紫光南京廠動土，未來主攻記憶體

中國半導體產業近期同樣熱鬧非凡，繼 SK 海力士上週敲定無錫新廠投資案、格羅方德成都建廠動土，
紫光南京的 IC 國際城建設項目也在昨 12 日開工，近一週內就有一項投資大案敲定、兩項目正式展開。
中國紫光集團 1 月 18 日才與南京市政府敲定半導體產業基地投資項目，不到一個月的時間，
12 日紫光就偕南京市政府舉行動土典禮，宣告紫光南京半導體基地正式開工。
紫光南京新廠與台積電南京廠同坐落於南京江北新區浦口區，紫光南京新廠占地面積約 1,500 畝，
主要生產 3D NAND Flash、DRAM 記憶體。總投資金額高達 300 億美元的建設項目，
一期投資約 100 億美元、月產能 10 萬片晶圓。去年底台灣 IC 設計晶圓測試廠欣銓，
敲定在南京間接投資新廠，同樣將落戶於此。
包含紫光集團董事長趙偉國、南京市所轄江蘇省委書記李強、省委副書記暨南京市委書記吳政隆、
南京市長穆瑞林等人都出席動土儀式。
紫光集團還指出，將另外投資 300 億人民幣（約 44 億美元）建設配套的 IC 國際城，包含科技園、
設計封裝產業基地、國際學校、國際人才公寓等相關配套設施。據先前趙偉國透露的訊息，
除了旗下長江存儲國家記憶體基地 240 億美元投資案，未來一年將在中國成都、
南京各建一座晶圓廠，三項投資案加起來將超過 700 億美元。

由 科技新報  轉載