新聞 : 資本開支飆，記憶體獲利恐在年中觸頂

記憶體供應緊俏，業者獲利直線上衝，口袋賺飽飽。
外資警告，廠商砸錢增產，DRAM 和 NAND Flash 的毛利率可能會在今年年中觸頂。

霸榮（Barron’s）7 日報導，Susquehanna Financial Group 的 Mehdi Hosseini 表示，
記憶體業者的資本開支超過 50 億美元，是毛利觸頂的預兆，
2013 年第四季和 2015 年 Q1、Q3 都是如此（見下圖）。
該行估計，2017 年 Q1、Q2 記憶體業的資本開支都高於 50 億美元門檻；
由此看來，2017 年毛利率可能會在年中或年末觸頂。

Hosseini 警告，蘋果採購完 iPhone 8 所需的記憶體之後，相關需求可能驟減。
報告稱，今年下半 NAND 供給將轉為寬鬆，主因 48 層 NAND 製程加速轉往 64 層，
而且三星平澤（Pyeongtaek）廠也啟用。

與此同時，Kingstom 等模組廠的庫存增加至 6~8 週水位，
打算趁著蘋果 iPhone 8 下單 NAND 時，推升實際銷售。

報告稱，記憶體業者中，Western Digital（WD）、SanDisk 毛利率波動較小，
情況優於美光（MU）、SK 海力士（SK Hynix）、三星電子。
這是因為 WD、SanDisk 不受 DRAM 市場力量衝擊，而且都和日廠東芝（Toshiba）合資生產，可分擔成本。

由 財經新報 轉載